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磷化鎵晶體GaP晶體太赫茲晶體

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

磷化鎵晶體GaP晶體太赫茲晶體

詳細(xì)介紹

磷化鎵晶體GaP晶體太赫茲晶體

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

磷化鎵是一種人工合成的化合物半導(dǎo)體材料。外觀：橙紅色透明晶體。磷化鎵是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導(dǎo)體材料。磷化鎵的晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型，晶格常數(shù)5.447±0.06埃，化學(xué)鍵是以共價(jià)鍵為主的混合鍵，其離子鍵成分約為20%，300K時(shí)能隙為2.26eV，屬間接躍遷型半導(dǎo)體。磷化鎵與其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體(如GaAS、 InP)相同，可通過引入深中心使費(fèi)米能級(jí)接近帶隙中部，如摻入鉻、鐵、氧等雜質(zhì)元素可成為半絕緣材料。目前尚未得到非摻雜半絕緣材料。

（110）晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時(shí)域光譜儀中作為探測(cè)晶體，其橫光學(xué)支聲子線在11THz。通?？商綔y(cè)的頻譜寬度在0.1-6.5THz。

中文名：磷化鎵

外文名：Gallium phosphide

分子式：GaP

分子量：100.6968

實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖為40fs鈦藍(lán)寶石激光泵浦寬譜光電導(dǎo)天線，400um厚GaP晶體探測(cè)的結(jié)果

GaP磷化鎵晶體產(chǎn)品

	GaP 磷化鎵晶體基本規(guī)格^(a) Description
1	GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished.
2	GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished..
3	GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished..
4	GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished..
5	GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished..
6	GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished..