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大激發(fā)面積太赫茲發(fā)射器太赫茲光電導天線太赫茲天線

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更新時間：2024-02-02 14:32:57瀏覽次數(shù)：147次

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產(chǎn)品簡介

大激發(fā)面積太赫茲發(fā)射器太赫茲光電導天線太赫茲天線

詳細介紹

產(chǎn)品簡介

效率高的太赫茲輻射源對一系列太赫茲科學技術(shù)的應用有著非常重要的影響，一個重要的方面就是寬的帶寬，以及高的電場強度。這通常依賴于大激發(fā)面積的輻射源，傳統(tǒng)的概念上輻射源需要高的偏置電壓（高至幾百V）激發(fā)才能達到KV/cm的THz電場強度。上海屹持光電推出的大激發(fā)面積太赫茲發(fā)射器是一款大激發(fā)面的且只需要很低偏置電壓的高效率光電導天線。

產(chǎn)品特點

√ 大的激發(fā)面積

√ 低的外部偏置電壓

√ 不需要外部冷卻裝置

√ 超級集成化的封裝設計

技術(shù)規(guī)格

上海屹持光電推出的Tera-SED是一款基于LT-GaAs的高效率太赫茲光電導天線。我們提供兩個不同版本的大激發(fā)面積光電導天線：10mm*10mm激發(fā)面積的天線適合于放大級飛秒激光器系統(tǒng)（單脈沖能量可以高至300uJ）；3mm*3mm版本的光電導天線適合于震蕩級飛秒激光器。

左圖為Tera-SED受激發(fā)輻射THz的原理示意圖，右圖是實驗測試頻譜數(shù)據(jù)（0.7nJ pump功率，GaP晶體探測的結(jié)果）

頻譜峰值	1THz-1.5THz
頻譜寬度(@-10dB)	~2.5THz
光學激發(fā)功率密度	8W/mm²
激發(fā)功率	650mW
激發(fā)波長	700-850nm
尺寸	1英寸外徑
太赫茲脈沖強度	可至5KV/cm
偏置電壓	10-30V
偏置電壓調(diào)制頻率	DC-100KHz
占空比	5%-99%

輻射太赫茲的能力

	偏置電壓Vbias	占空比	THz電場強度
Tera-SED3	up to 10V	CW	100V/cm (@10V)
	10-20V	50%	200V/cm (@20V)
	30V	10%	300V/cm
Tera-SED10	up to 5V	CW	1000V/cm(@5V)
	5-20V	50%	2000V/cm(@20V)
	25V	5%	5000V/cm