當前位置：上海屹持光電技術有限公司>>太赫茲>>高阻抗本征硅高阻硅片高阻抗本征硅基片高阻抗硅窗片高阻硅窗片

高阻抗本征硅高阻硅片高阻抗本征硅基片高阻抗硅窗片高阻硅窗片

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號

品牌

廠商性質其他

所在地

在線詢價收藏產品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：查看聯(lián)系方式

更新時間：2024-02-02 14:43:36瀏覽次數：165次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

產品分類 品牌分類

  太赫茲

全部產品列表

  其他品牌

上海屹持光電技術有限公司

經營模式：其他

商鋪產品：107條

所在地區(qū)：

詢價 給他留言

產品簡介

高阻抗本征硅高阻硅片高阻抗本征硅基片高阻抗硅窗片高阻硅窗片

詳細介紹

產品簡介

除了人造金剛石，高阻抗的本征硅（高阻硅）材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項同性晶體材料。和鉆石相比，它要便宜的多，并且生長制造更容易。而且他尺寸更大，更容易制造，THz技術的快速發(fā)展，就基于該優(yōu)點。對于THz應用，我們提供在1000 µm (對于更長波長，3000甚至8000微米)透過率達到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。高阻抗浮區(qū)本征硅材料，和相關光學元件。

合成電解質硅的介電常數由傳導率決定（例如：自由電子-載流子濃度）。圖3顯示的是在1THz下，不同純度下的硅的介電常數.低摻雜的介電常數接近真實值，大約等于高頻介電常數。隨著摻雜濃度的提高，真實的介電常數將變成負數，而且不能被忽略。介電常數表征的是THz波的傳輸損耗特性。損耗系數可以用下面的公式計算：tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這里 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數（8.85*10-12 F/m）。ε0 –硅的介電常數(11.67), R是電阻值。例如，1THz下，10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗系數為1.54*10-5。