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二氧化硅基底石墨烯

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產(chǎn)品型號1*1cm單層

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更新時間：2024-02-09 16:21:19瀏覽次數(shù)：146次

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產(chǎn)品簡介

簡要描述：二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%制備方法：1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

詳細介紹

二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底