污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲(chǔ)水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
上海巨納科技有限公司
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產(chǎn)品型號(hào)ICP-LP-PE-CVD
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地上海
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更新時(shí)間：2024-02-16 13:56:40瀏覽次數(shù)：206次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自 環(huán)保在線簡(jiǎn)要描述：NextCVD等離子體改性及刻蝕多功能寬密度等離子體國內(nèi)的電感耦合等離子體都是基于中頻13.56MHz的電源發(fā)生器，等離子體密度較低，而且是螺旋管式，主要用于等離子體刻蝕，不適宜用于沉積高質(zhì)量薄膜。
巨納集團(tuán)NextCVD系列多功能寬密度等離子體CVD（ICP-LP-PE-CVD）結(jié)合了電感耦合和電容耦合輝光放電的優(yōu)點(diǎn)，可在寬密度工藝范圍（109-1013 cm-3)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的等離子體輔助CVD，具有優(yōu)良的材料處理性能和廣泛的應(yīng)用范圍，是目前功能強(qiáng)大的等離子體CVD系統(tǒng)。
NextCVD 的原創(chuàng)性高密度低頻平板式電感耦合等離子體系統(tǒng)。頻率可調(diào)節(jié)，從低頻0.5- 4MHz范圍內(nèi)調(diào)節(jié)；電感天線是平板式，可根據(jù)客戶要求改變天線的形狀、大小，從而實(shí)現(xiàn)兩種不同的放電模式：電感放電和電容放電，兩種模式下都能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定放電，兩種模式的等離子體特性截然不同，可以實(shí)現(xiàn)不同的功能。
多功能寬密度等離子體等離子體改性及刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)
基片臺(tái)可電動(dòng)旋轉(zhuǎn)、可加熱、可升降
配裝手動(dòng)高真空插板閥、手動(dòng)角閥、電腦復(fù)合真空計(jì)
由于采用了超高真空密封技術(shù)，極限真空度高，沉積室可進(jìn)入10-5Pa量級(jí)，可保證更高的鍍膜純凈度，提高鍍膜質(zhì)量
自動(dòng)監(jiān)控和保護(hù)功能，包括缺水欠壓檢測(cè)與保護(hù)、相序檢測(cè)與保護(hù)、溫度檢測(cè)與保護(hù)、真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)等
配備可開關(guān)觀察窗，方便觀察及取樣品
設(shè)備真空系統(tǒng)采用分子泵+機(jī)械泵真空機(jī)組
采用磁力耦合傳動(dòng)密封技術(shù)密封運(yùn)動(dòng)部件
真空規(guī)用金屬規(guī)，刀口金屬密封
性能技術(shù)參數(shù)
設(shè)備極限真空度：5.0×10-5Pa（等離子體沉積腔室）。5.0×10-1Pa進(jìn)樣室
高密度等離子體：電子密度高能達(dá)到1013 cm-3
氣體物離化率：1-10%
電感耦合離子體電源發(fā)生器頻率從0.5-4 MHz可調(diào)，功率可從0-5000 W調(diào)節(jié)
電感天線有橢圓和圓形兩種，相應(yīng)等離子源石英窗口形狀也有橢圓和圓形兩種，相應(yīng)等離子體放電模式也有電感和電容模式兩種，可根據(jù)用途選擇。等離子體源石英窗口大小可根據(jù)要求進(jìn)行調(diào)節(jié)
供電：～380V三相供電系統(tǒng)（容量7KW），冷卻水循環(huán)量1M3/H，工作環(huán)境溫度10℃～35℃，冷卻水溫度18℃～25℃
設(shè)備占用面積12M2（設(shè)備安裝面積4M×3M）
進(jìn)樣室上方窗口（玻璃橡膠圈密封）：￠20cm
沉積室抽氣口在底部，樣品架的兩邊抽氣，有利于薄膜的均勻沉積
設(shè)備總體漏放率：關(guān)機(jī)12小時(shí)后，真空度≤10Pa
從大氣到抽到≤7×10-4Pa，小于45min(新設(shè)備充干燥氮?dú)?，提高了工作效率
樣品臺(tái)可旋轉(zhuǎn)，速度：0～25轉(zhuǎn)／分 可控可調(diào)。（樣品臺(tái)尺寸￠200mm）
基片尺寸￠6英寸（根據(jù)用戶需要可變）
樣品臺(tái)加熱器溫度：室溫～500±1℃。溫度可控可調(diào)
基片升降距離0～100mm可調(diào)
配備2支￠3英寸磁控靶，其中一支可鍍鐵磁材料，磁控靶可伸縮
磁控濺射靶電源：射頻源 500W、13.56MHz；直流濺射電源，500W
缺水欠壓檢測(cè)與保護(hù)、相序檢測(cè)與保護(hù)、溫度檢測(cè)與保護(hù)、真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)
應(yīng)用領(lǐng)域：
光伏行業(yè)（氮化硅/非晶硅/微晶硅/等離子體織構(gòu)與刻蝕）
新型二維材料（石墨烯/二硫化鉬等的表面改性及制備）
半導(dǎo)體工藝（刻蝕工藝/氮化硅與二氧化硅工藝等）
納米材料的生長(zhǎng)與納米形貌的刻蝕構(gòu)造
石墨烯氫等離子體可控改性
氬等離子體可控改性：引入空位缺陷
氫等離子體可控改性：引入SP3缺陷
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