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1200℃雙坩堝移動型管

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更新時間：2023-02-28 10:47:05瀏覽次數(shù)：177次

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產品簡介

產品詳情型號：OTF-1200X-Ⅱ-S2產品概述：OTF-1200X-Ⅱ-S2是一款雙溫區(qū)帶有升降雙通道進料系統(tǒng)的共蒸發(fā)多層沉積管式爐，通過升降雙通道進料系統(tǒng)可裝載4個不同材料的蒸發(fā)坩堝舟，并且可一次同時送入兩個蒸發(fā)坩堝源進入管式爐中進行共蒸發(fā)或反應蒸發(fā)

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產品詳情

型號：OTF-1200X-Ⅱ-S2

產品概述：OTF-1200X-Ⅱ-S2是一款雙溫區(qū)帶有升降雙通道進料系統(tǒng)的共蒸發(fā)多層沉積管式爐，通過升降雙通道進料系統(tǒng)可裝載4個不同材料的蒸發(fā)坩堝舟，并且可一次同時送入兩個蒸發(fā)坩堝源進入管式爐中進行共蒸發(fā)或反應蒸發(fā)。雙溫區(qū)管式爐可以實現(xiàn)快速加熱，并且通過對各個溫區(qū)設置不同的加熱溫度可以創(chuàng)建不同的溫度梯度從而實現(xiàn)蒸發(fā)沉積。雙通道進料系統(tǒng)可以在程序控制下將2個裝載不同蒸發(fā)料的坩堝一同推進拉出，實現(xiàn)共蒸發(fā)或者反應蒸發(fā)，特別適用于多層二維晶體材料的制備。

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技術參數(shù)實驗案例警示/應用提示配件詳情

管式爐	雙溫區(qū)管式爐：兩個獨立的溫控系統(tǒng)對每個溫區(qū)進行獨立控溫電壓：220V AC 50/60Hz 功率：3KW 加熱區(qū)長度：440mm 恒溫區(qū)長度：300mm 溫度曲線圖(兩個溫區(qū)設置在800℃時所測，僅供參考）（可點擊圖片查看詳細資料）爐管材料：高純石英管標配爐管尺寸：Φ100（外）×Φ94（內）×640（長）工作溫度：1200℃（＜1h）連續(xù)工作溫度：1100℃ 控溫精度：±1℃ 推薦升溫速率：10℃/min
坩堝推送機構（升降雙通道進料系統(tǒng)）	一根鎧裝熱電偶通過左端法蘭通入爐管內部，并與坩堝相連接，實現(xiàn)溫度的實時監(jiān)測（如圖1）升降雙通道進料系統(tǒng)放置在一中空的真空腔體中，上方采用不銹鋼真空法蘭進行密封，兩端同樣采用不銹鋼真空法蘭與坩堝推進裝置及管式爐進行連接，保證進料在真空狀態(tài)或者氣氛保護狀態(tài)下進行運作（圖2）進料系統(tǒng)真空腔體右端與管式爐連接法蘭處安裝有2個獨立小石英管（圖3）在升降雙通道進料系統(tǒng)中最多可放入4個坩堝（圖4），利用推送系統(tǒng)可交替將4個不同蒸發(fā)源單個依次送入石英管中，也可將放入不同材料的2個坩堝蒸發(fā)源一同送入，分別精確的推入兩個獨立的小石英管中（圖5），找到所需的蒸發(fā)溫度處進行共蒸發(fā)或者反應蒸發(fā)，保證實驗的重復性以及穩(wěn)定性（圖6）圖1 圖2 圖3 圖4 圖5 圖6
坩堝推送控制系統(tǒng)	采用PLC觸摸屏控制通過一步進電機控制坩堝的移動速度和位置，進樣位置和速度可調可控制坩堝最小移動位移為1mm 坩堝移動距離為200mm
真空表	機械壓力表+數(shù)顯壓力表
真空泵	真空度：10E-2 torr（采用機械泵），10-E5 torr(采用分子泵)
混氣系統(tǒng)	此套設備中配有一2路混氣系統(tǒng) 輸出功率：18W 工作溫度：5-45℃ 精度：±1%FS 質量流量計量程：1:0-100sccm 2:1-199sccm 可根據(jù)客戶要求選購1-5路供氣系統(tǒng)
水冷系統(tǒng)	標配一16L循環(huán)水冷系統(tǒng)
尺寸	2600mm(L) x 600mm(W) x 900mm(H)
國家
質保期	一年質保期，終生維護
質量認證	CE認證所有電器元件（>24V）都通過UL?/?MET?/?CSA認證若客戶出認證費用，本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證
使用注意事項	爐管內氣壓不可高于0.02MPa 由于氣瓶內部氣壓較高，所以向爐管內通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全當爐體溫度高于1000℃時，爐管內不可處于真空狀態(tài)，爐管內的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài) 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊石英管的長時間使用溫度＜1100℃ 對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）
應用舉例	此款管式爐具有多種用途：熱蒸發(fā)：將蒸發(fā)料放入坩堝中，通過移動坩堝來精確找到所需蒸發(fā)溫度 HPCVD：通入反應氣體實現(xiàn)反應蒸發(fā)沉積共蒸發(fā)沉積或反應蒸發(fā)沉積：利用的雙通道進料裝置可以實現(xiàn)兩蒸發(fā)源的同時送入，實現(xiàn)共蒸發(fā)沉積或反應蒸發(fā)沉積多層二維晶體：此套設備可以實現(xiàn)多層二維晶體的制備（硒化物硫化物等），操作方便簡單，實驗更具精確性、重復性。