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SiPM探測(cè)器硅光電倍增管(Siliconphotomultiplier,簡(jiǎn)稱(chēng)SiPM),是一種新型的光電探測(cè)器件,由工作在蓋革模式的雪崩二極管陣列組成,SiPM單光子探測(cè)器具有增益高、靈敏度高、偏置電壓低、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn)
SiPM探測(cè)器
硅光電倍增管(Silicon photomultiplier,簡(jiǎn)稱(chēng)SiPM),是一種新型的光電探測(cè)器件,由工作在蓋革模式的雪崩二極管陣列組成,SiPM單光子探測(cè)器具有增益高、靈敏度高、偏置電壓低、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn)。SiPM單光子探測(cè)器發(fā)明于二十世紀(jì)九十年代末,廣泛應(yīng)用于高能物理及核醫(yī)學(xué)(PET)等領(lǐng)域,代表著未來(lái)極微弱光探測(cè)器的發(fā)展方向。
SiPM單光子探測(cè)器主要參數(shù):
有效面積 | 3mmX3mm |
像元尺寸 | 15um |
微孔數(shù)量 | 38800 |
探測(cè)效率 | 31% @ 430nm, ctrl=0.7V |
暗計(jì)數(shù)率 | 125kHz/mm3 |
串?dāng)_幾率 | 18% |
殘留脈沖幾率 | 5% |
恢復(fù)時(shí)間 | 15ns |
跨阻增益 | 150V/A |
輸出帶寬 | 12.5MHz |
偏置電壓 | 0-1V |
輸入電壓 | 5VDC |
功耗 | 350mW (typ.) |
外觀尺寸 | 40mm×50mm×19.8mm |
工作溫度 | 0-60oC |
SiPM單光子探測(cè)器應(yīng)用圖例:
流式細(xì)胞應(yīng)用 PMT和SiPM雙光子成像對(duì)比
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