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EKSMA硒化鎵(GaSe)晶體GaSe-10H1

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更新時間：2024-05-07 10:49:40瀏覽次數(shù)：183次

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品介紹用于產(chǎn)生太赫茲THz的GaSe（硒化鎵）晶體顯示出高達41THz的大帶寬

詳細介紹

產(chǎn)品介紹

用于產(chǎn)生太赫茲THz的GaSe（硒化鎵）晶體顯示出高達41 THz的大帶寬。GaSe是負單軸層狀半導體，具有62 m點組的六邊形結構，在300 K時的直接帶隙為2.2eV。GaSe晶體具有高損傷閾值，較大的非線性光學系數(shù)（54 pm / V），合適的透明范圍和低吸收系數(shù)，這使其成為寬帶中紅外電磁波產(chǎn)生的替代解決方案。由于使用低于20 fs的激光源產(chǎn)生和檢測寬帶太赫茲，因此與使用薄的ZnTe晶體相比，GaSe發(fā)射器-探測器系統(tǒng)的性能可達到相當甚至更好的結果。為了實現(xiàn)頻率選擇性太赫茲波的產(chǎn)生和檢測系統(tǒng)，應使用適當厚度的GaSe晶體。

產(chǎn)品參數(shù)

GaSe晶體

Z切割，開裂，未鍍膜

尺寸：直徑7 mm

厚度：0.01 mm

由于材料結構的原因，可能僅沿（001）平面切割GaSe晶體