產(chǎn)品介紹：主要用于測(cè)量：亞納秒至微秒時(shí)域的瞬態(tài)吸收光譜，包括：基態(tài)漂白(GroundStateBleaching)、激發(fā)態(tài)吸收(ExcitedStateAbsorption)、系間竄越(Inter-systemCross)、三線態(tài)湮滅(Triplet-tripletannihilation)、三線態(tài)的生成與衰減(Raisetimeanddecaytime)等

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹：

主要用于測(cè)量：亞納秒至微秒時(shí)域的瞬態(tài)吸收光譜，包括：基態(tài)漂白 (GroundState Bleaching)、激發(fā)態(tài)吸收 (Excited State Absorption)、系間竄越 (Inter-system Cross)、三線態(tài)湮滅 (Triplet -triplet annihilation)、三線態(tài)的生成與衰減 (Raise time and decaytime)等；
籍此分析光化學(xué)、光生物學(xué)、光催化或光物理過(guò)程中的瞬態(tài)能量轉(zhuǎn)移、電子傳遞等信息。100 nJ(100 μW @1 kHz)低能量泵浦，對(duì)于有機(jī)光伏材料(OPV)、OLED、AIE材料的研究！350 - 2200 nm 波段，EOS的時(shí)間分辨率都是~1 ns。亞納秒脈沖白光激光作為探測(cè)光，2000 Hz探測(cè)頻率，CMOS光譜儀與探測(cè)光同步，采集~10⁸時(shí)域范圍3D光譜，要~20 - 60 min! 大光譜范圍：350 - 2200 nm，標(biāo)配 350 - 950 nm，可探測(cè)到典型的鈣鈦礦材料能級(jí)躍遷（~1.5 eV）。探測(cè)光點(diǎn)~100μm，結(jié)合THS樣品架，可做微區(qū)掃描?？缮?jí)為漫反射(Diffused reflectance)瞬態(tài)吸收光譜儀，內(nèi)置Kubelka–Munk方程計(jì)算光吸收，漫反射與透射可切換使用。我們可提供包含亞納秒激光器的系統(tǒng)解決方案，用于OPV、OLED、金屬有機(jī)配合物等材料的電子轉(zhuǎn)移、空穴復(fù)合等研究。

產(chǎn)品參數(shù)：

時(shí)間分辨率	<1 ns
最小延時(shí)步進(jìn)	100 ps
時(shí)間窗口*	400 µs，1kHz 泵浦激光時(shí)
適合激光頻率	10 - 1000 Hz
探測(cè)波長(zhǎng)	350 – 2200 nm （可選：450 - 2400 nm）
Vis檢測(cè)器	CMOS線陣列傳感器
數(shù)量	2
像素	1024
響應(yīng)波長(zhǎng)	200 - 1000 nm
分辨率	2 nm (50 µm 狹縫時(shí))，4 nm (200 µm 狹縫時(shí))
光譜范圍	600 nm (通常: 350 - 950 nm)
采集速度	2400 條光譜/s（可選：10,000 條光譜/s），14bit
NIR檢測(cè)器	InGaAs線陣列傳感器 (選配)
數(shù)量	2
像素	256
響應(yīng)波長(zhǎng)	800 - 1600 nm
分辨率	5 nm (50 µm 狹縫時(shí))，13 nm (200 µm 狹縫時(shí))
光譜范圍	800 nm (通常: 800 - 1600 nm)
采集速度	2400 條光譜/s（可選：10,000 條光譜/s），14bit
SWIR檢測(cè)器	InGaAs線陣列傳感器 (選配)
數(shù)量	2
像素	256
響應(yīng)波長(zhǎng)	1000 - 2600 nm
分辨率	5 nm (50 µm 狹縫時(shí))，13 nm (200 µm 狹縫時(shí))
光譜范圍	800 nm (可用: 1600 - 2200 nm)
采集速度	2400 條光譜/s，14bit
數(shù)據(jù)格式	ASCII CSV (兼容Excel)
數(shù)據(jù)采集軟件	EOS
數(shù)據(jù)分析軟件	Surface Xplorer
光學(xué)模塊體積 (長(zhǎng)寬高)	915 X 610 X 250 mm³
電子模塊體積 (長(zhǎng)寬高)	534 X 610 X 686 mm³