小型SMD晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機,......

詳細(xì)介紹

ILSI晶振,SPXO石英晶體振蕩器,ISM20晶振,智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

ILSI艾爾西晶振總部位于內(nèi)華達州里諾,在加利福尼亞州南部設(shè)有辦事處,該公司被認(rèn)為是靈活而響應(yīng)迅速的提供交鑰匙供應(yīng)鏈管理解決方案,編程的組織服務(wù)和工程支持.我們提供陶瓷諧振器以及石英或壓電晶體濾波器. 我們的所有產(chǎn)品均按照ILSI工廠控制系統(tǒng)的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)制造.ILSI晶振以其快速靈活的供應(yīng)解決方案以及具有競爭力的頻率控制產(chǎn)品價格而受到.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù).

ILSI晶振	ISM20晶振
輸出類型	CMOS
輸出負(fù)載	15pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	1.8V,2.5V,3.3V
頻率范圍	1.00MHz~80.00MHz
頻率穩(wěn)定度	±20ppm、±25ppm、±50ppm、±100ppm
工作溫度	0℃~+70℃ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃
保存溫度	-55℃~+125℃
電壓卷（值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間	5 ms Max
相位抖動（12兆赫~20兆赫）	1個PS
老化率	±3 ppm /年

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

自動安裝時的沖擊

自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些進口石英2016晶振.請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至貼片晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗.但是,在某些條件下,晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.

(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞.

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解美國進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.

美國ILSI晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).

通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).

美國ILSI晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體振蕩器件、壓電石英晶體、有源晶振、壓電陶瓷諧振器,集團業(yè)務(wù)政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.

ILSI晶振集團認(rèn)識到進行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去ILSI晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責(zé)任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.

關(guān)鍵詞：石英晶體振蕩器晶體振蕩器壓電晶體高頻振蕩器振蕩器

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