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導(dǎo)體粉末電阻測試儀

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參考價: ￥ 20000

訂貨量: ≥1 臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號BCD-310

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更新時間：2024-08-19 16:08:34瀏覽次數(shù)：171次

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北京百川宏宇交通設(shè)施有限公司

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地	國產(chǎn)

導(dǎo)體粉末電阻測試儀本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導(dǎo)率單位自動選擇，BCD-310 材料電導(dǎo)率測試儀自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成圖表和報表。

詳細介紹

導(dǎo)體粉末電阻測試儀導(dǎo)體粉末電阻測試儀

導(dǎo)體材料電阻率測試儀GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測量方法提要探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3 Nˉ0.8N兩種。以下文件中的條款通過本標(biāo)準的引用商成為本標(biāo)準的條款。但凡注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括訂正的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本適用于本標(biāo)準。GB/T 1552硅、儲單晶電阻率測定直排四探針法樣品臺和操針架樣品臺和探針架應(yīng)符合GB/T152 中的規(guī)定。樣品臺上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn)360"的裝置。其誤差不大于士5"，測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1，范圍本標(biāo)準規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標(biāo)準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A-5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量準確度尚未評估。使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測量兩內(nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計算出薄層電阻。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響.

采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準并參考美國A.S.T.M標(biāo)準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響.