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薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀

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參   考   價(jià): 20000

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)BC-A

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

聯(lián)系方式:查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2024-08-12 09:37:55瀏覽次數(shù):139次

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經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:100條

所在地區(qū):北京北京市

聯(lián)系人:張 (經(jīng)理)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn)    

薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀 介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

詳細(xì)介紹

薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀 薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀 

技術(shù)參數(shù):

1.Q值測(cè)量
a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c.標(biāo)稱誤差
頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):
固有誤差:≤5%±滿度值的2% 固有誤差:≤6%±滿度值的2%
工作誤差:≤7%±滿度值的2% 工作誤差:≤8%±滿度值的2%
2.電感測(cè)量范圍:4.5nH~7.9mH
3.電容測(cè)量:1~205
主電容調(diào)節(jié)范圍:18~220pF
準(zhǔn)確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%
注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見后頁使用說明
4.  信號(hào)源頻率覆蓋范圍
頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
5.Q合格指示預(yù)置功能:      預(yù)置范圍:5~1000。
6.B-測(cè)試儀正常工作條件
a.  環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
b.相對(duì)濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
7.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

1  測(cè)量范圍及誤差

 本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對(duì)濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。

  在Cn=100pF    R4=3183.2(W)(即10K/π)時(shí)

    測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               

    電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0~1              ±1.5%tgdx±0.0001

    在Cn=100pF      R4=318.3(W)(即1K/π)時(shí)

    測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               

    電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0~0.1          ±1.5%tgdx±0.0001

2  電橋測(cè)量靈敏度

    電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測(cè)量準(zhǔn)確度,希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。在下面的計(jì)算公式中,用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

 DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中:U為測(cè)量電壓                     伏特(V)

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

          Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法(pF)

          Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

          Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆(W)

          R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

          Cx被測(cè)試品電容值                    皮法(pF)

3 電容量及介損顯示精度:

    電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。

    介  損: ±0.5%tgdx±1×10-4

4 輔橋的技術(shù)特性:

    工作電壓±12V,50Hz

    輸入阻抗>1012 W

    輸出阻抗>0.6 W

    放大倍數(shù)>0.99

    不失真跟蹤電壓  0~12V(有效值)

5 指另裝置的技術(shù)特性:

    工作電壓±12V

    在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格

    二次諧波  減不小于25db

    三次諧波  減不小于50db


關(guān)鍵詞:電容器
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