北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司作者
說(shuō)明使用半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀的方法
資料類型 | jpg文件 | 資料大小 | 41547 |
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關(guān) 鍵 詞 | 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀,測(cè)試儀,立器件測(cè)試儀,直銷立器件測(cè)試儀,*立器件測(cè)試儀 |
- 【資料簡(jiǎn)介】
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀型號(hào):CS2935
一、產(chǎn)品特點(diǎn):
測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠,具有保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件的能力。測(cè)試儀由計(jì)算機(jī)操控,測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)打印。除具有點(diǎn)測(cè)試功能外,還具有曲線掃描功能(圖示儀功能)。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低,在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊(cè)技術(shù)指標(biāo)及國(guó)標(biāo)要求。
二、測(cè)試參數(shù)
1. 二管
VF、IR、BVR
2. 穩(wěn)壓(齊納)二管
VF、IR、BV Z
3. 晶體管 Transistor(NPN型/PNP型)
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4. 可控硅整流器(晶閘管)
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5. 場(chǎng)效應(yīng)管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6. 光電耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7.三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV
2024世環(huán)會(huì)【工業(yè)節(jié)能與環(huán)保展】

div6月3日,2024世環(huán)會(huì)【工業(yè)節(jié)能與環(huán)保展】于上海丨國(guó)家會(huì)展中[詳細(xì)]
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