napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率NC-10（NC-20）的介紹
napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率NC-10（NC-20）的介紹
產(chǎn)品特點
節(jié)省空間，使用個人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實現(xiàn)無損傷測量
探頭可拆卸和更換，因此每個量程的探頭都可以輕松更換。
（*可選用于第二個和后續(xù)電阻探頭）
1 中心點測量
厚度和溫度修正功能（硅晶圓）
測量規(guī)格
測量對象
半導體/太陽能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導體相關（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請聯(lián)系我們）
測量尺寸
3 至 8 英寸，~156 x 156 毫米
（可選；2 英寸或 12 英寸，~210 x 210 毫米）
測量范圍
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
（*所有探頭類型的總范圍/當厚度為 500um 時）
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
（*所有探頭類型的總范圍）
產(chǎn)品特點
只需觸摸手持探頭即可測量電阻
在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
通過 JOG 撥盤輕松設置測量條件
可互換連接器連接的電阻測量探頭支持各種電阻
（電阻探頭：最多可使用2+PN判斷探頭）
測量規(guī)格
測量對象
半導體/太陽能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導體相關（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請聯(lián)系我們）
測量尺寸
不受樣品尺寸和形狀的影響（但是，大于 20 mmφ 且表面平坦的樣品）均可測量
測量范圍
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
（*所有探頭類型的總范圍/當厚度為 500um 時）
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
節(jié)省空間，使用個人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實現(xiàn)無損傷測量
探頭可拆卸和更換，因此每個量程的探頭都可以輕松更換。
（*可選用于第二個和后續(xù)電阻探頭）
1 中心點測量
測量對象
半導體/太陽能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導體相關（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
