產(chǎn)品展示
DSi系列硅光電探測器
【簡單介紹】
【詳細說明】
產(chǎn)品概述
DSi系列硅光電探測器——室溫型探測器,使用范圍:200-1100nm
兩種型號的探測器室的外觀相同,其中:
● DSi200型內(nèi)裝進口紫敏硅光電探測器
● DSi300型內(nèi)裝進口藍光增強型硅光電探測器
● 推薦配合I-V放大器(型號:ZAMP)使用
兩種型號的探測器室的外觀相同,其中:
● DSi200型內(nèi)裝進口紫敏硅光電探測器
● DSi300型內(nèi)裝進口藍光增強型硅光電探測器
● 推薦配合I-V放大器(型號:ZAMP)使用

兩種型號硅光電探測器的光譜響應(yīng)度曲線圖
技術(shù)指標\型號名稱 | DSi200 紫敏硅探測器 | DSi300 藍光增強型硅探測器 |
進口紫外增強型 | 進口藍光增強型 | |
有效接收面積(mm2) | 100(Φ11.28) | 100(Φ11.28) |
波長使用范圍(nm) | 200-1100 | 350-1100 |
峰值波長(nm),典型值 | 820nm | 970nm |
峰值波長響應(yīng)度(A/W) | 0.52 | 0.60(>0.55) |
典型波長的響應(yīng)度(A/W) | 0.14(>0.09)@254nm | 0.20(>0.15)@410nm |
響應(yīng)時間(μs) | 5.9 | 2 |
工作溫度范圍(℃) | -10~+60 | -10~+60 |
儲存溫度范圍(℃) | -20~+70 | -20~+70 |
分流電阻RSH(MΩ) | 10(>5) | (>10) |
等效噪聲功率NEP(W/√Hz) | 4.5×10-13 | 2.0×10-13 |
*大操作電流(mA@0V bias) | 0.1 | 10.0 |
結(jié)電容(pf@0V bias) | 4500 | 8800 |
信號輸出模式 | 電流 | 電流 |
輸出信號極性 | 正(P) | 正(P) |
![]() | ![]() |
硅光電探測器使用建議:
■ DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前,建議采用I-V跨導(dǎo)放大器做為前級放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號,標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號,但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度;
■ DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時,由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器,故可不再需要另行選配前置放大器。
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