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PVD-210-HMDS晶片預處理烘箱

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產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地上海

聯(lián)系方式:任俊萍查看聯(lián)系方式

更新時間:2024-11-28 08:34:45瀏覽次數(shù):10次

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經(jīng)營模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:170條

所在地區(qū):上海上海市

聯(lián)系人:任俊萍 (銷售經(jīng)理)

產(chǎn)品簡介

HMDS預處理真空烘箱一、HMDS預處理系統(tǒng)的必要性:在半導體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝顯得更為重要

詳細介紹



HMDS預處理真空烘箱


一、HMDS 預處理系統(tǒng)的必要性:


在半導體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝顯得更為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。


二、產(chǎn)品特點:


1)外殼采用優(yōu)質(zhì)SUS304不銹鋼材質(zhì),內(nèi)膽316L不銹鋼材料;采用不銹鋼加熱管,均勻分布在內(nèi)膽外壁,內(nèi)膽內(nèi)無任何電氣配件及易燃易爆裝置;采用鋼化、雙層玻璃觀察窗,便于觀察工作室內(nèi)物品實驗情況。無發(fā)塵材料,適用百級光刻間凈化環(huán)境使用。


2)箱門閉合松緊能調(diào)節(jié),整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內(nèi)保持高真空度。


3) 溫度采用微電腦PID控制,系統(tǒng)具有自動控溫,定時,超溫報警等,LCD液晶顯示,觸摸式按鈕,簡單易用,性能穩(wěn)定可靠.


4)智能化觸摸屏控制系統(tǒng)配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據(jù)不同制程條件改變程序、溫度、真空度及每一程序時間。


5)HMDS氣體密閉式自動吸取添加設計,使真空箱密封性能,確保HMDS氣體無外漏顧慮。


三、技術(shù)參數(shù)


規(guī)格型號

PVD-090-HMDS

PVD-210-HMDS

容積(L

90L

210L

控溫范圍

RT+10250

溫度分辨率

0.1

控溫精度

±0.5

加熱方式

內(nèi)腔體外側(cè)加溫

隔板數(shù)量

2PCS

3PCS

真空度

<133Pa(真空度范圍100100000pa

真空泵

抽氣速度4升/秒,型號DM4

電源/功率

AC220/50Hz,3KW

AC380V/50Hz,4KW

內(nèi)膽尺寸W*D*H

450*450*450

560*640*600

外形尺寸W*D*H

650*640*1250

1220*930*1755


連接管:316不銹鋼波紋管,將真空泵與真空箱密封無縫連接


備注:選配溫度壓力記錄儀時,因工藝需要改變設備整個外箱結(jié)構(gòu),請參考實物圖。外殼采用優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板粉末靜電噴涂,內(nèi)膽采用316L不銹鋼,外箱尺寸為(W*D*Hmm980x655x1600(含下箱柜高700),下箱柜空置。


四、HMDS預處理系統(tǒng)的原理:


HMDS預處理系統(tǒng)通過對烘箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。


五、HMDS預處理系統(tǒng)的一般工作流程:


首先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為:打開真空泵抽真空,待腔內(nèi)真空度達到某一高真空度后,開始充入氮氣,充到某低真空度后,再次進行抽真空、充入氮氣的過程,到達設定的充入氮氣次數(shù)后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入HMDS氣體,在到達設定時間后,停止充入HMDS藥液,進入保持階段,使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后,再次開始抽真空。充入氮氣,完成整個作業(yè)過程。HMDS與硅片反應機理如圖:首先加熱到100-200,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應,在硅片表面生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續(xù)到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應。


六、尾氣排放:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。


七、產(chǎn)品操作控制系統(tǒng)平臺配置:


DM4直聯(lián)旋片式真空泵,溫度控制器,日本三菱可編程觸摸屏操作模塊,固態(tài)繼電器,加急停裝置。


選購件:富士溫控儀表(溫度與PLC聯(lián)動)、三色燈、壓力記錄儀和溫度記錄儀。


其它選配:


1)波紋管2米或3米(標配含1米)


2)富士溫控儀表(溫度與PLC聯(lián)動)


3)三色燈


4)增加HMDS液體瓶


5)下箱柜子(304不銹鋼)適用于外304不銹鋼內(nèi)316不銹鋼標準款式


6)壓力溫度記錄儀(帶曲線)


 




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