產品詳情 電動汽車用IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源

Product details

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)設備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設計，產線封裝測試及新能源汽車，風力發(fā)電，地鐵交通等領域的大功率器件及模塊測試，設備模塊化程度高，測試穩(wěn)定性及測試精度在客戶端已經廣泛使用?？梢愿鶕陀脩粜枨筮M行定制。

測試系統(tǒng)以2000A為一個電流模塊,以1500V為一個電壓模塊，電流電壓可升級；

1范圍

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)技術規(guī)范提出的是限度的要求，并未對所有技術細節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關標準和規(guī)范的條文，供貨方應提供符合工業(yè)標準和本技術規(guī)范的優(yōu)質產品。本技術規(guī)范所使用的標準如遇與供貨方所執(zhí)行的標準不*時，應按較高標準執(zhí)行。

2應遵循的主要現(xiàn)行標準 電動汽車用IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀，功率半導體模塊測試系統(tǒng)的設計、制造、檢查、試驗等遵循如下國內標準，但不限于以下標準。

GB 13869-2008 用電安全導則

GB19517-2004  國家電器設備安全技術規(guī)范

GB/T 15153.1-1998 運動設備及系統(tǒng)

GB 4208-2008 外殼防護等級（IP代碼）（IEC 60529：2001，IDT）

GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志

GB/T 15139-1994 電工設備結構總技術條件

GB/T 2423 電工電子產品環(huán)境試驗

GB/T 3797-2005 電氣控制設備

GB/T 4588.3-2002 印制板的設計和使用

GB/T 9969-2008 工業(yè)產品使用說明書總則

GB/T 6988-2008 電氣技術用文件的編制

GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器

GB/T 311.1 絕緣配合第1部分：定義、原則和規(guī)則

IEC 60747-2/GB/T 4023-1997      半導體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管

IEC 60747-9:2007/GB/T 29332-2012     半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBTs）

3技術要求

3.1整體技術指標

3.1.1 功能與測試對象

*1）功能

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀，測試單元具備測試IGBT模塊動態(tài)參數(shù)測試。具體測試參數(shù)及指標詳見表格411。

*2）測試對象

被測器件主要IGBT模塊。

3.1.2  IGBT模塊動態(tài)測試參數(shù)及指標

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀，測試單元對IGBT模塊和FRD的動態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足標準IEC60747-9以及IEC60747-2。如有其他需求，可自行定義。

以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數(shù)下進行。

1）圖2 IGBT開通過程及其參數(shù)定義動態(tài)測試參數(shù)

IGBT的開通和關斷波形及其相關參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。

圖2 IGBT開通過程及其參數(shù)定義

圖3 IGBT關斷過程及其參數(shù)定義

表格2 可測量的IGBT動態(tài)參數(shù)

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

 3.1.華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀反偏安全工作區(qū)參數(shù)及指標

3.1.4華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀保護安全功能

本測試單元應具備完善的保護功能，除可有效保護操作人員不受事故傷害外，還在發(fā)生故障時不會造成設備自身的較大損壞，通過采取更換小型部件的方式即可修復。保護功能包括但不限于如下功能：

l *高壓測試前可選低壓預測試驗證系統(tǒng)安全及連接良好

l *完備的人身安全防護

l 測試結束電容自動放電

l 測試過程中短路保護（非短路測試）

l *被測器件防爆保護

3.2華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀測試單元組成

本測試單元包括動態(tài)參數(shù)測試部分，主要組成材料及其要求如下所示。

3.2.1 華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀動態(tài)參數(shù)測試部分主要材料清單

表格12動態(tài)參數(shù)測試部分組成

3.3主要技術要求

3.3.1 華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀動態(tài)參數(shù)測試單元技術要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1) 海拔高度：海拔不超過1000m；

2) 溫度：儲存環(huán)境溫度 -2060；

3) 工作環(huán)境溫度： -540；

4) 濕度：20RH 至 90RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40以下)；

5) 震動：抗地震能力按7級設防，地面抗震動能力0.5g；

6) 防護：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；

3.3.1.2華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)設備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設計，產線封裝測試及新能源汽車，風力發(fā)電，地鐵交通等領域的大功率器件及模塊測試，設備模塊化程度高，測試穩(wěn)定性及測試精度在客戶端已經廣泛使用?？梢愿鶕陀脩粜枨筮M行定制。華科智源專業(yè)提供動態(tài)參數(shù)測試|IGBT測試儀|雪崩能量測試儀|IPM測試儀|分立器件測試系統(tǒng)。