IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試，包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測(cè)試頭。主機(jī)包括所有測(cè)試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開(kāi)關(guān)時(shí)間，開(kāi)關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測(cè)試。

IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀概述

• 測(cè)試電壓：zui大1200 VDC 200（短路電流可達(dá)1000A）
• 定時(shí)測(cè)量：zui低為1 ns
• 漏電流限制監(jiān)視器
• -  MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
  -  MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
  -  Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
  -  MOSFET柵電荷Qg測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
  -  IGBT感性開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
  -  IGBT短路耐量測(cè)試，Max ISC=1000A
  
  測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)： 
  - MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀選項(xiàng)

• 額外的電源供應(yīng)器
• 額外的測(cè)試頭
• 大包裝適配器

ITC57300mos管功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試頭

• ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開(kāi)關(guān)時(shí)間
• ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
• ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
• ITC57240 - 電感式開(kāi)關(guān)時(shí)間為IGBT，MIL-STD 750方法3477
• ITC57250 - （ISC）短路耐受時(shí)間，MIL-STD-750方法3479