污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
深圳市天禧儀器有限公司
深圳市天禧儀器有限公司
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地
聯(lián)系方式：劉先生查看聯(lián)系方式
更新時間：2022-08-22 15:43:36瀏覽次數(shù)：332次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線新型Prisma E掃描電子顯微鏡（SEM）將各種成像和分析模式與新的*自動化相結(jié)合，為同類產(chǎn)品提供最完整的解決方案。它非常適用于需要高分辨率，樣品靈活性和易于使用的操作界面的工業(yè)研發(fā)，質(zhì)量控制和故障分析應(yīng)用。Prisma E成功獲得了極為成功的Quanta SEM。
產(chǎn)品參數(shù)：
1 電子光學(xué)：
1.1 發(fā)射源：鎢燈絲（高性能電子光學(xué)鏡筒，雙陽極熱發(fā)射電子槍）
1.2 固定式物鏡光闌，無需手動調(diào)整使用方便
1.3 加速電壓：200V – 30kV，自動256級偏壓設(shè)計
1.4 放大倍數(shù)：6× - 1000000×
1.5 極靴內(nèi)有一路單獨抽真空系統(tǒng)，保證在低真空和環(huán)境模式下電子槍高真空和不受污染，延長燈絲壽命
1.6 電子束束流：可達(dá)到的值不小于2µA，并連續(xù)可調(diào)
1.7 使用工廠預(yù)對中燈絲更換方便
2 真空系統(tǒng)
2.1 1個250 l/s分子渦輪泵+1個機(jī)械泵
2.2 高真空模式：＜1×10-5 Pa
2.3 低真空模式：10 – 130 Pa
2.4 環(huán)境真空模式：10 – 2600 Pa
2.5 高真空模式下的換樣時間：≤150秒
2.6 低真空及環(huán)境真空模式下的換樣時間：≤270秒
3 分辨率
3.1 高真空模式下的分辨率
3.1.1 30 kV下3.0 nm (二次電子)
3.1.2 30 kV下3.5 nm (背散射電子)
3.1.3 3 kV下8.0 nm (二次電子)
3.2 環(huán)境真空模式下的分辨率（以英文樣本公布的參數(shù)為準(zhǔn)，并作為驗收指標(biāo)）
3.2.1 30 kV下3.0 nm (二次電子)
3.2.2 具備獨立的環(huán)境真空/超低真空模式二次電子探頭
Prisma E材料科學(xué)SEM
對于需要性能和易用性的多用戶實驗室而言，最完整的SEM。
新型Prisma E掃描電子顯微鏡（SEM）將各種成像和分析模式與新的*自動化相結(jié)合，為同類產(chǎn)品提供最完整的解決方案。它非常適用于需要高分辨率，樣品靈活性和易于使用的操作界面的工業(yè)研發(fā)，質(zhì)量控制和故障分析應(yīng)用。Prisma E成功獲得了極為成功的Quanta SEM。
出色的成像
多用戶實驗室需要顯微鏡在短時間內(nèi)生成具有相關(guān)數(shù)據(jù)的高質(zhì)量圖像。Prisma E采用基于四極槍組件的強(qiáng)大成像系統(tǒng)滿足了這一需求，可在各種光束能量和真空條件下提供出色的結(jié)果。在所有這些條件下，地形圖和成像圖都提供了必要的樣本信息。通過同步采集，該信息可供隨后進(jìn)一步解釋和分析。
電子光學(xué)：
1.1發(fā)射源：鎢燈絲（高性能電子光學(xué)鏡筒，雙陽極熱發(fā)射電子槍）
1.2固定式物鏡光闌，無需手動調(diào)整使用方便
*1.3加速電壓：200V – 30kV，自動256級偏壓設(shè)計
1.4放大倍數(shù)：6× - 1000000×
1.5極靴內(nèi)有一路單獨抽真空系統(tǒng)，保證在低真空和環(huán)境模式下電子槍高真空和不受污染，延長燈絲壽命
1.6電子束束流：可達(dá)到的值不小于2µA，并連續(xù)可調(diào)
1.7使用工廠預(yù)對中燈絲更換方便
真空系統(tǒng)
2.11個250 l/s分子渦輪泵+1個機(jī)械泵
2.2高真空模式：＜1×10-5 Pa
*2.3低真空模式：10 – 130 Pa
*2.4環(huán)境真空模式：10 – 2600 Pa
*2.5高真空模式下的換樣時間：≤150秒
*2.6低真空及環(huán)境真空模式下的換樣時間：≤270秒
分辨率
3.1高真空模式下的分辨率
3.1.130 kV下3.0 nm (二次電子)
3.1.230 kV下4.0 nm (背散射電子)
*3.1.33 kV下8.0 nm (二次電子)
**3.2環(huán)境真空模式下的分辨率（以英文樣本公布的參數(shù)為準(zhǔn)，并作為驗收指標(biāo)）
**3.2.130 kV下3.0 nm (二次電子)
3.2.2具備獨立的環(huán)境真空/超低真空模式二次電子探頭
您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
環(huán)保在線 設(shè)計制作，未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
