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MDPpicts光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測(cè)

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微波探測(cè)的MDPpicts光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測(cè)，非接觸且無(wú)損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測(cè)量以及半導(dǎo)體的界面陷阱和體陷阱能級(jí)的電性能表征。

詳細(xì)介紹

MDPpicts光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測(cè)

Microwave Detected Photo Induced Current Transient Spectroscopy

微波探測(cè)的MDPpicts光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測(cè)，非接觸且無(wú)損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測(cè)量以及半導(dǎo)體的界面陷阱和體陷阱能級(jí)的電性能表征。

應(yīng)用行業(yè)：半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)研究與開(kāi)發(fā)

靈敏度：對(duì)電子缺陷表征的靈敏度

圖1. 與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)

溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰變常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
污染測(cè)定：測(cè)量基礎(chǔ)的陷阱能級(jí)：陷阱的活化能和俘獲截面，基于溫度和注入的壽命測(cè)定
重復(fù)性：> 99.5%，測(cè)量時(shí)間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
彈性：可從不同波長(zhǎng)(從365nm到1480nm)選擇不同種類的材料
可訪問(wèn)性：基于IP的系統(tǒng)允許來(lái)自世界任何地方的遠(yuǎn)程操作和

從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。

利用這種新型的商用MDPpicts設(shè)備，可以在20~500k范圍內(nèi)測(cè)量溫度依賴性的光電導(dǎo)瞬態(tài)。在過(guò)去，Si, GaAs, InP, SiC和更多的半導(dǎo)體已經(jīng)成功采用了這種方法進(jìn)行研究。