目錄:盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司>>集成電路>> 單晶圓清洗設(shè)備
• 沉積前清洗
• 蝕刻后清洗
• CMP后清洗
• RCA標準清洗
• W Loop后清洗
• Cu Loop后清洗
• 去除BEOL聚合物
• 深層Trench/Via清洗
• 薄膜去除
• TSV后清洗
• EPI前清洗
• ALD前清洗
可配8腔體，12腔體和18腔體，產(chǎn)能可達225片/小時,375片/小時和800片/小時
具有雙面清洗的能力，最多可配至5種清洗藥液，如：DHF, DSP+, f-DIW, FOM, SC1, SC2, DIO3, ST250, EKC580, NE111, IPA或配方藥液；集成式藥液供給模塊
最多可回收2種藥液，低COO
可選配常溫IPA或者高溫IPA增強型干燥技術(shù)
可選配氮氣霧化DIW二流體清洗或氮氣霧化SC1二流體清洗來輔助去除顆兆聲波技術(shù)進行平坦表面或深孔結(jié)構(gòu)中的濕兆聲波技術(shù)對圖形片來進行高效無損傷清洗
設(shè)備尺寸：Ultra C II 2.35m x 5.53m x 2.85m, Ultra C V 2.35m x 6.7m x 2.85m, Ultra C VI 2.35米×6.30米×2.85米 (寬×長×高)
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環(huán)保在線