MProbe Vis薄膜測(cè)厚儀大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測(cè)量。比如：氧化物，氮化物，光刻膠，高分子聚合物，半導(dǎo)體(硅，單晶硅，多晶硅)，半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs，CdTe, CIGS)，硬涂層(碳化硅，類金剛石炭)，聚合物涂層(聚對(duì)二甲苯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰胺)
大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被MProbe Vis測(cè)厚儀測(cè)量。比如：氧化物，氮化物，光刻膠，高分子聚合物，半導(dǎo)體(硅，單晶硅，多晶硅)，半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs，CdTe, CIGS)，硬涂層(碳化硅，類金剛石炭)，聚合物涂層(聚對(duì)二甲苯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰胺)。
測(cè)量范圍: 15 nm -50um
波長(zhǎng)范圍: 400 nm -1100 nm
MProbe Vis薄膜測(cè)厚儀適用于實(shí)時(shí)在線測(cè)量，多層測(cè)量，非均勻涂層, 軟件包含大量材料庫(kù)(超過(guò)500材料)，新材料可以很容易的添加，支持多重算法：Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等。
測(cè)量指標(biāo)：薄膜厚度，光學(xué)常數(shù)
界面友好強(qiáng)大: 一鍵式測(cè)量和分析。
MProbe Vis薄膜測(cè)厚儀實(shí)用的工具：曲線擬合和靈敏度分析，背景和變形校正，連接層和材料，多樣品測(cè)量，動(dòng)態(tài)測(cè)量和產(chǎn)線批量處理。


性能參數(shù)：

基本規(guī)格
精度	準(zhǔn)確度	穩(wěn)定性	光斑大小	樣品尺寸
0.1Å or 0.01% (greater of)	0.2% or 10A (greater of)	stability 0.2A or 0.02% (greater of)	2mm standard (optional to 20µm)	from 4mm
s.d. of 100 thickness reading of 100nm SiO2/Si calibration sample	filmstack dependent	2 sigma over 20 days (100 measurements daily) on 100nm/Si calibration sample
系統(tǒng)參數(shù)
型號(hào)	波長(zhǎng)范圍(nm)	光譜儀/探測(cè)器	光源	厚度
Vis	400-1100	Spectrometer F4/Si CCD 3600 pixels/ ADC- 16 bit	Tungsten-Halogen	15nm- 75µm
UVVisSR	200-1100	Spectrometer F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC- 16 bit	Deuterium/Tungsten-Halogen	1nm-75µm
HRVis	700-1000	Spectrometer F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC- 16 bit /resolution	Tungsten-Halogen	1µm-400µm
UVVis-RT	200-1000	F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC 16 bit/Optical Switch(Reflectance & Transmittance)	Tungsten-Halogen	1nm-75µm
NIR	900-1700	F2 Spectrometer InGaAs CCD 512 pixels: ADC- 16 bit	Tungsten-Halogen	50nm- 85µm
VisNIR	400-1700	Two spectrometer channels/ detectors (F4 Si 3600 pixels CCD and F2 InGaAs 512 pixels PDA) /ADC- 16 bit	Tungsten-Halogen	10nm- 85µm
UVVis-NIR	200-1700	Two spectrometer channels/ detectors (F4 Si 3600 pixels CCD and InGaAs 512)/ ADC – 16 bit	Deuterium/Tungsten-Halogen	1nm-85µm
VisXT	800-870	F4 spectrometer/Si 2048 pixels CCD	Tungsten-Halogen	10µm-1400 µm