是致力于PECVD / ICPCVD(HDPCVD)的設(shè)備提供商, 產(chǎn)品涵蓋2”~ 8”主流PECVD / ICPCVD(HDPCVD)薄膜生長(zhǎng)工藝,廣泛應(yīng)用于三五族(GaAs / SiC )、GaN功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產(chǎn)業(yè)及MEMS和Si基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
儀器簡(jiǎn)介
◆配置:2”~8” 手動(dòng) / 半自動(dòng) / 全自動(dòng)(片盒對(duì)片盒) / 全自動(dòng)多腔(片盒對(duì)片盒)
◆領(lǐng)域 :三五族(GaAs / SiC),GaN功率及射頻器件、VCSELs的器件等化合物產(chǎn)業(yè)及MEMS和Si基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)等
◆制程 : PECVD / ICPCVD(HDPCVD)
儀器特點(diǎn)
◆ Plasma-Therm公司有將近40年研發(fā)及制造PECVD相關(guān)設(shè)備的歷史
◆ Plasma-Therm設(shè)備具有高穩(wěn)定性與高可靠度
◆ Plasma-Therm自有的軟硬件設(shè)計(jì)及完善QC系統(tǒng)
◆ Plasma-Therm設(shè)備配置靈活,包含手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)(片盒對(duì)片盒)型號(hào)滿(mǎn)足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)及量產(chǎn)客戶(hù)需求
◆ Plasma-Therm設(shè)備在化合物半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)高占有率:目前世界范圍內(nèi)裝機(jī)數(shù)量超過(guò)2000臺(tái)
◆ Plasma-Therm PECVD / ICPCVD設(shè)備技術(shù)特性:
l 薄膜生長(zhǎng)速率可調(diào);
l 的應(yīng)力控制方法(低損傷應(yīng)力控制)
l 啟輝功率低至8W,采用plasma發(fā)出的輝光作為斷點(diǎn)監(jiān)控系統(tǒng)的光源,薄膜厚度實(shí)時(shí)監(jiān)控
l 的片內(nèi)厚度均勻性 < 1.5%
l 的批次間厚度均勻性 < 1.5%
◆Plasma-Therm連續(xù)15年被VLSI評(píng)為10 Best設(shè)備供應(yīng)商
應(yīng)用領(lǐng)域
◆ 三五族(GaAs / SiC,GaN功率及射頻器件,InP器件等)
◆ MEMS微機(jī)電
◆ Si基半導(dǎo)體
◆ 石英基底的光通訊器件