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更新時間：2023-06-03 19:40:34瀏覽次數(shù)：1140次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線Lam9600旨在蝕刻具有高度垂直側(cè)壁的鋁金屬和TiW層，適用于0.35um線寬
Lam 9600 旨在蝕刻具有高度垂直側(cè)壁的鋁金屬和 TiW 層，適用于 0.35 um 線寬。等離子體是一種中高密度、變壓器耦合等離子體，類似于 ICP 源，允許單獨控制線圈（頂部電極）功率和壓板（下部電極）功率。在腔室中，晶圓被機械夾持到水冷壓板上，He 背面氣體提供耦合。Cl2/BCl3 化學(xué)成分用于 Al 和 SF6 用于 TiW 層。TiW 蝕刻和 Cl 鈍化步驟（也使用 SF6）可以在出口鎖或主腔室中進行。預(yù)計 Cl 化學(xué)對 Al2O3 層以及具有最小底切的硅溝槽有效。
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