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標(biāo)準(zhǔn)型離子束刻蝕機(jī)(IBE)

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更新時(shí)間：2022-12-11 17:09:31瀏覽次數(shù)：981次

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北京金盛微納科技有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳細(xì)描述本產(chǎn)品采用口徑φ150mm考夫曼型離子源，通過結(jié)構(gòu)的雙鉬柵離子光學(xué)系統(tǒng)及SHAG技術(shù)保證在φ100mm范圍內(nèi)束流的均勻性為±5%，電子中和系統(tǒng)可使樣片上的電荷積累為零

詳細(xì)介紹

詳細(xì)描述

本產(chǎn)品采用口徑φ150mm考夫曼型離子源，通過結(jié)構(gòu)的雙鉬柵離子光學(xué)系統(tǒng)及SHAG技術(shù)保證在φ100mm范圍內(nèi)束流的均勻性為±5%，電子中和系統(tǒng)可使樣片上的電荷積累為零。

本設(shè)備的刻蝕工作臺(tái)可繞工作中心自轉(zhuǎn)，離子束入射角可在0～90°之間任意調(diào)整。

本設(shè)備具有刻蝕速率穩(wěn)定、均勻性好、重復(fù)性好等特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

產(chǎn)品主要性能指標(biāo)