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Reactive Ion Etcher (RIE)反應(yīng)式離子刻蝕機/ICP感應(yīng)耦合反應(yīng)離子刻蝕機

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更新時間：2022-12-21 16:04:58瀏覽次數(shù)：1087次

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產(chǎn)品簡介

一體型機臺，結(jié)構(gòu)緊湊，整機占地空間900mm*1100mm~800mm*1560mm

詳細介紹

一體型機臺，結(jié)構(gòu)緊湊，整機占地空間900mm*1100mm ~ 800mm*1560mm；

基于工控機的控制方案，自主開發(fā)的全自動控制系統(tǒng)，可高度定制化；

特點:

● 一體型機臺，結(jié)構(gòu)緊湊，整機占地空間900mm*1100mm ~ 800mm*1560mm；
● 基于工控機的控制方案，自主開發(fā)的全自動控制系統(tǒng)，可高度定制化；
● 機臺配置靈活，可作為專用刻蝕機臺也可以用于多用途刻蝕機臺；
● 模塊化設(shè)計，維護與升級極其方便；
● 工藝性能*穩(wěn)定。

主要技術(shù)性能指標:

● 樣片尺寸：2英寸及以下小尺寸碎片和非晶圓樣品、4英寸晶圓、4~6英寸晶圓、8英寸晶圓（可定制12英寸）；
● BRF功率源: 300W/500W可調(diào)，13.56MHZ；500W/1,000W可調(diào)，13.56MHZ；1,000W/2,000W可調(diào)，13.56 & 27MHZ；
● 氣體種類: RIE: O2,Ar,CF4,SF6,CHF3（標配三路氣體）；ICP:H2,CH4,O2,N2,Ar,SF6,CF4,CHF3,C4F8,NF3,NH3,C2F6等；
● 氣體流量控制：MFC；
● 樣片控溫: RIE 10℃~室溫，ICP控溫精度±1℃; -30°C~100°C/200/°C定制；
● 控制系統(tǒng)：工控機，板卡結(jié)構(gòu)；全自動（可定制）；
● 交互界面：觸摸屏；
● 蝕刻材料：RIE: 硅、二氧化硅、石英、氮化硅、有機材料；ICP:硅基材料、金屬材料、有機材料、三五族和二六族化合物、陶瓷材料等。

主要應(yīng)用：

● 芯片失效分析去層蝕刻（RIE/ICP）；
● 光電子三五族材料蝕刻(ICP)；
● 深硅蝕刻和圖形加工(ICP)；
● 光刻膠等有機物殘留去除(ICP)。

型號：SHL FA100P-RIE/ SHL FA150E-RIE/ SHL200-ICP/ SHL200S-ICP/ SHL200C-ICP/ SHL200D-ICP

關(guān)鍵詞：工控機刻蝕機芯片

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