北京合能陽光新能源技術(shù)有限公司
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詳細(xì)摘要： 原生多晶型號測試儀是一款半導(dǎo)體材料型號測試儀器，具有大量程測試范圍的特點(diǎn)，尤其適用于西門子法原生硅料生產(chǎn)企業(yè)的高阻硅料（含硅芯、檢磷棒、檢硼棒等）以及各種低阻硅...
產(chǎn)品型號：HS-PSTT所在地：北京市更新時(shí)間：2022-10-27 在線留言
詳細(xì)摘要： 多晶硅鑄錠（定向凝固）配料工藝軟件是一個(gè)用于太陽能光伏多晶硅料及多晶硅鑄錠配料的工藝計(jì)算軟件
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-10-27 在線留言
詳細(xì)摘要： HS-Phys-IRis晶圓紅外檢測系統(tǒng)專門用于包括硅材料等半導(dǎo)體晶圓及晶環(huán)生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)晶圓內(nèi)部的機(jī)械隱裂等肉眼無法觀測的內(nèi)部缺陷，其檢測直徑可達(dá)420mm。
產(chǎn)品型號：HS-Phys-IRis所在地：北京市更新時(shí)間：2022-10-27 在線留言
詳細(xì)摘要： HS-NIR-SiRod單晶硅芯長棒紅外探傷測試儀是專門用于硅芯硅棒生產(chǎn)中的硅棒硅芯內(nèi)部的的裂縫、雜質(zhì)、黑點(diǎn)、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器，可大幅提高硅芯生產(chǎn)過程...
產(chǎn)品型號：HS-NIR-SiRod所在地：北京市更新時(shí)間：2022-10-27 在線留言
詳細(xì)摘要： HS-phys-SimPLe半導(dǎo)體晶片內(nèi)部缺陷檢測系統(tǒng)是專門用于包括單晶硅、碳化硅、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體晶片及晶環(huán)生產(chǎn)過程中以的分辨率探測晶片和晶環(huán)的內(nèi)部滑移線、內(nèi)部...
產(chǎn)品型號：HS-phys-SimPLe所在地：北京市更新時(shí)間：2022-10-27 在線留言
詳細(xì)摘要： ■ 所謂“母合金"就是雜質(zhì)元素與硅的合金，常用的有硅磷和硅硼兩種，雜質(zhì)濃度是10的-2次方和10的-3次方。
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 合能陽光的金屬四探頭電阻率方阻測試儀（ HS-MPRT-5）是用來測量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器.本儀...
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 屬四探頭電阻率方阻測試儀(HS-MPRT4）是用來測量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電薄膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測量...
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹: 我公司銷售的PVE300是基于Bentham公司專業(yè)的技術(shù)及25年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，PVE300能夠快速并準(zhǔn)確的給出分析數(shù)據(jù)，是經(jīng)過市場檢驗(yàn)的被廣泛應(yīng)用的...
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 硅料磷、硼雜質(zhì)含量測試儀，其主要用途是對多晶硅料的包括磷硼含量在內(nèi)的超過75個(gè)元素進(jìn)行分析。
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 原生多晶電阻率測試儀(HS-POSRT)，是一款電阻率測試儀器，具有電阻率大量程及超大量程測量的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了電阻率從0.0001歐姆.厘米到幾萬歐姆.厘米（可擴(kuò)...
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 手動無接觸硅片測試儀(HS-NCS-300型)可以測量硅片厚度、總厚度變化 TTV 、彎曲度，該儀器適用于 Si ， GaAs ， InP ， Ge 等幾乎所有...
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 合能陽光無接觸少子壽命測試儀(HS-MWR-SIM)，是一款功能強(qiáng)大的，能夠?qū)尉Ч璋?、多晶硅塊及硅片提供快速、無接觸、無損傷單點(diǎn)少子壽命測試，其通過微波光電衰...
產(chǎn)品型號：HS-MWR-SIM所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 無接觸式電阻率型號測試儀TRM-100是基于渦流（Eddy Current）測試技術(shù)，能夠?qū)枇稀⒐璋?、硅錠及硅片進(jìn)行無接觸、無損傷的體電阻率測試。
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 紅外探傷測試儀是專門用于多晶硅片生產(chǎn)中的硅塊硅棒硅片的裂縫、雜質(zhì)、黑點(diǎn)、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器。
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 多角度激光橢偏儀(PH-LE型)專門針對晶硅太陽能電池絨面上的減反膜測量，能夠測量薄膜厚度及其光學(xué)常數(shù)，使用632.8nm波長氦氖激光器，具有*的精確度和準(zhǔn)確度...
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-02 在線留言
詳細(xì)摘要： ■ 鎵為IIIA族元素，原子量為69.72，英文名稱為Gallium,簡稱Ga。質(zhì)軟，淡藍(lán)色光澤。熔點(diǎn)29.78℃。沸點(diǎn)2403℃。具有無毒、不揮發(fā)、不燃、不爆...
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-07-14 在線留言
詳細(xì)摘要： 合能陽光無接觸少子壽命掃描儀(HS-MWR-2S3)功能強(qiáng)大，能夠?qū)尉Ч璋簟⒍嗑Ч鑹K及硅片提供快速、無接觸、無損傷、高分辨率的多功能掃描測試，其通過微波光電衰...
產(chǎn)品型號：HS-MWR-2S3）所在地：北京市更新時(shí)間：2022-07-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 硅片表面線痕深度測試儀(HS-SRT-301)可用于測試硅片的表面線痕深度，具有便于攜帶、觸摸屏便捷操作、液晶顯示、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)內(nèi)置打印機(jī)和充電電池，所有設(shè)...
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-07-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 合測試儀 - HS-PSRT電阻率型號綜合測試儀是運(yùn)用四探針測量原理的多功能綜合測試裝置，它可以測量片狀、塊狀半導(dǎo)體材料的徑向和軸向電阻率，適用于半導(dǎo)體及太陽能...
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-07-11 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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