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籽晶圓籽晶/方籽晶/錐形籽晶（直拉單晶）
產(chǎn)品介紹：選材好，均從整根單晶中取材，取自單晶中部的無(wú)位錯(cuò)、無(wú)損傷、無(wú)應(yīng)力部分，取材部位與尾部有足夠距離，且沒(méi)有切割損傷
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/3 11:30:27 對(duì)比
Monocrystal高品質(zhì)藍(lán)寶石籽晶
產(chǎn)品介紹：藍(lán)寶石具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在醫(yī)療、環(huán)保、化工、高真空測(cè)試、LED等等領(lǐng)域
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碳化硅籽晶
產(chǎn)品介紹：SiC的物理和電學(xué)屬性使其成為短波長(zhǎng)光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的半導(dǎo)體材料
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方坩堝噴涂用氮化硅
■氮化硅分子式為Ｓi3Ｎ4，是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料
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拉單晶專用鎵摻雜劑
拉單晶專用鎵摻雜劑■鎵摻雜是目前太陽(yáng)能拉單晶生產(chǎn)的工藝■拉晶摻鎵硅片大幅度降低光致衰減,同時(shí)可以提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率■即使摻鎵單晶電阻率低達(dá)0.3Ω*cm...
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直拉單晶，多晶鑄錠摻雜用高純度母合金
母合金摻雜劑■摻雜，又稱配料，摻雜的目的主要是用來(lái)改變硅熔體中施主雜質(zhì)（如磷）或受主雜質(zhì)（如硼）的雜質(zhì)濃度，使其生長(zhǎng)出的單晶電阻率達(dá)到規(guī)定的要求
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拉單晶專用鎵摻雜劑（Ga Dopant）
■鎵為IIIA族元素，原子量為69.72，英文名稱為Gallium,簡(jiǎn)稱Ga
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直拉單晶區(qū)融用籽晶
籽晶是生長(zhǎng)單晶的種子，也叫晶種
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SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤(pán)
SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤(pán)我公司擁有多名日本專家、博士工程師及*經(jīng)營(yíng)管理團(tuán)隊(duì)，擁有專業(yè)從事碳化硅涂層以及對(duì)石墨產(chǎn)品進(jìn)行高溫純化除雜技術(shù)
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