SE-VE光譜橢偏儀

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更新時間：2024-06-03 08:25:15瀏覽次數(shù)：189次

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深圳東儀精工設(shè)備有限公司

經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：14條

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產(chǎn)品簡介

SE-VE光譜橢偏儀本設(shè)備基于單旋轉(zhuǎn)補償器調(diào)制技術(shù)一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜，可實現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學(xué)常數(shù)的快速分析表征。

詳細(xì)介紹

SE-VE光譜橢偏儀

本設(shè)備基于單旋轉(zhuǎn)補償器調(diào)制技術(shù)一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜，可實現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學(xué)常數(shù)的快速分析表征。

1、 橢偏儀測頭規(guī)格：
1) 光譜范圍：400-800nm
2) 入射角：65°
3) 光斑大小：200μm
4) 調(diào)制技術(shù)：PC_RSA調(diào)制技術(shù)
5) 重復(fù)性測量精度：0.01nm（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復(fù)測量）
6) 膜厚測量范圍：0.1nm—20μm
7) 單點測量時間：＜5s
8) 光源：高性能進(jìn)口鹵素?zé)艄庠矗u素?zé)魤勖?/font>2,000h）
9) 可視化樣品顯微對準(zhǔn)系統(tǒng)
2、 樣品臺規(guī)格：
1) 基板尺寸：支持樣件尺寸到Ф180mm
2) Z軸位移行程：0-10mm
3) 樣件臺俯仰角度：> ±2°

3、 測控與分析軟件
1) 光譜測量能力：PSI/DELTA橢偏光譜、N/C/S光譜、反射率光譜測量
2) 數(shù)據(jù)分析能力：具備單層、多層膜厚、光學(xué)常數(shù)（折射率、消光系數(shù)）分析能力
3) 支持常用光學(xué)常數(shù)模型以及常用振子模型（柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等），并支持圖形化多振子混合模型擬合功能
4) 支持多組分薄膜與體材料光學(xué)常數(shù)、組分比例分析功能；核心算法包含嚴(yán)格耦合波模型、等效介質(zhì)模型
5）支持用戶自定義，軟件不限制拷貝數(shù)量，支持windows10操作系統(tǒng)

關(guān)鍵詞：橢偏儀補償器

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