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BW-IFSM/ITSM
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西安市
BW-IFSM/ITSM 1008元 100件可售
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更新時(shí)間：2024-03-06 11:16:14瀏覽次數(shù)：133次
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可用于各類二極管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗(yàn)，包括三極管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二極管的浪涌測(cè)試。
二極管元件在實(shí)際使用中，除了能長(zhǎng)期通過(guò)額定通態(tài)平均電流外，還應(yīng)能承受一定倍數(shù)的浪涌過(guò)載電流而不致?lián)p壞，以便適應(yīng)在各種應(yīng)用中的要求。二極管浪涌過(guò)載電流如果超過(guò)其允許范圍，輕者引起元件性能變壞（如伏安特性、通態(tài)峰值電壓的變化），重者造成
BW-IFSM/ITSM
二極管浪涌測(cè)試系統(tǒng)
技術(shù)指標(biāo)：
> 浪涌電流（IFSM/ITSM）調(diào)節(jié)范圍：0.30～3.60kA
> 分辨率0.01kA，精度±3%±0.01kA
> 電流波形：正弦半波，底寬10ms
> 測(cè)試頻率：?jiǎn)未?/span>
> 反向電壓（VRRM）調(diào)節(jié)范圍：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV，精度±5％
> 反向電壓測(cè)試頻率：50Hz；
> 反漏電流（IRRM）測(cè)試范圍；1.0～100.0mA，分辨率0.1mA，精度±5％±0.1mA
工作方式：
> 由觸摸液晶屏設(shè)定浪涌電流大小、反向電壓值及反向漏電流保護(hù)值
> 按測(cè)試按鍵后設(shè)備自動(dòng)完成測(cè)試
外形尺寸：
> 600×800×1900×1（寬×深×高×并柜數(shù)，單位：mm）
系統(tǒng)說(shuō)明：
> 上述設(shè)備配置輸出及測(cè)試線,但不含測(cè)試用“夾具"。該“夾具"用于滿足元件按照標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試時(shí)所要求的溫度和壓力測(cè)試條件。
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