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MOSFET柵極電荷測試可靠性服務(wù)

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產(chǎn)品型號
長禾CNAS
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生產(chǎn)商
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西安市

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更新時間：2025-03-13 10:34:10瀏覽次數(shù)：64次

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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：23條

所在地區(qū)：陜西西安市

聯(lián)系人：白曉輝（銷售）

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產(chǎn)品簡介

加工定制	是

MOSFET柵極電荷測試可靠性服務(wù)
功率器件參數(shù)驗證與二次篩選：保障器件性能穩(wěn)定，助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。
車規(guī)級元器件檢測與認證：針對新能源汽車領(lǐng)域，提供符合嚴(yán)苛車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的功率器件篩選與可靠性驗證，助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。
環(huán)境與老化實驗：模擬特殊環(huán)境下器件工作狀態(tài)，確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中長期可靠運行。
失效分析及可靠性評估：快速精準(zhǔn)定位元器件失效根因，為產(chǎn)品改進和技術(shù)迭代提供有力支撐。

詳細介紹

MOSFET柵極電荷測試可靠性服務(wù)MOSFET柵極電荷測試可靠性服務(wù)-第三方檢測中心

分立器件靜態(tài)參數(shù)測試（DC）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012、GJB128B-2021

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；

檢測能力：檢測電壓：2000V 檢測電流：200A；

試驗參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

I-V曲線掃描

ID vs.VDS at range of VGS

ID vs.VGS at fixed VDS

IS vs.VSD

RDS vs.VGS at fixed ID

RDS vs.ID at several VGS

IDSS vs.VDS

HFE vs.IC

BVCE（O,S,R,V） vs.IC

BVEBO vs.IE

BVCBO vs.IC

VCE（SAT） vs.IC

VBE（SAT） vs.IC

VBE（ON） vs.IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF

功率模塊靜態(tài)參數(shù)測試（DC）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流橋等功率；

試驗?zāi)芰Γ簷z測電壓：7000V，檢測電流：5000A

試驗參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

開關(guān)特性測試（Switch）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V 檢測電流：5000A

試驗參數(shù)：開通/關(guān)斷時間ton/toff、上升/下降時間tr/tf、開通/關(guān)斷延遲時間td(on)/td(off)、開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；

反向恢復(fù)測試（Qrr）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V 檢測電流：5000A

試驗參數(shù)：反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)電流Irm、反向恢復(fù)時間Trr、反向恢復(fù)電流變化率diF/dt、反向恢復(fù)損耗Erec；

柵極電荷（Qg）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；

試驗?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V 檢測電流：5000A

試驗參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；

短路耐量（SCSOA）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V 檢測電流：10000A

試驗參數(shù)：短路電流Isc、短路時間Tsc、短路能量Esc；

結(jié)電容（Cg）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗?zāi)芰Γ侯l率：0.1-1MHz、檢測電壓：1500V；

試驗參數(shù)：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres；

C-V曲線掃描

輸入電容Ciss-V；

輸出電容Coss-V；

反向傳輸電容Cres-V；

柵極電阻（Rg）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗?zāi)芰Γ簷z測電壓：1500V；

試驗參數(shù)：柵極等效電阻Rg

正向浪涌電流測試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗對象：DIODE（Si/SiC）、整流橋、SCR、IGBT；

試驗?zāi)芰Γ簷z測電流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。

試驗參數(shù)：浪涌電流IFSM/ITSM、i2t

雷擊浪涌 8/20us,10/1000us

雪崩耐量測試（UIS）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗對象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件；

試驗?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V，檢測電流：200A

試驗參數(shù)：雪崩能量EAS

介電性測試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007；

試驗對象：Si、SiC·MOSFET；

試驗?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V，檢測電流：200A

高溫反偏試驗（HTRB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗?zāi)芰Γ簻囟?span> 150℃；電壓 5000V；

高溫柵偏試驗（HTGB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

試驗對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗?zāi)芰Γ簻囟?span> 150℃；電壓 100V；

高溫高濕反偏試驗（H3TRB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗?zāi)芰Γ簻囟?span>85℃，濕度范圍：25%~95%，電壓 4500V；

功率老煉測試

試驗對象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；

試驗?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V，檢測電流：200A

間歇壽命試驗（IOL）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、；

試驗對象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；

檢測能力：ΔTj≧100℃ 電壓 60V，電流 50A。

功率循環(huán)試驗（PC）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、；

試驗對象：IGBT模塊；

檢測能力：ΔTj=100℃，電壓 30V，電流 1800A；

熱阻測試（Riath）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；

試驗對象：各類二極管；

試驗?zāi)芰Γ核矐B(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻

失效分析 X-ray

◆ 人機工程學(xué)設(shè)計

◆ 編程CNC檢測及選配旋轉(zhuǎn)工裝

◆ 可實時追蹤、目標(biāo)點定位

◆ 高分辨率FPD獲高質(zhì)量圖像

◆ 配置超大載物臺及桌面檢測區(qū)域

◆ X射線源：

輸出功率：8W

光管類型：封閉式

管電壓：90kV

焦點尺寸：5μm

環(huán)境老煉

高溫存儲試驗（HTSL）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、；