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半導(dǎo)體烘烤設(shè)備
HMDS烘箱
環(huán)境檢測試驗箱
烘箱、烤箱
超低溫試驗箱
橡塑檢測儀器設(shè)備
低溫脆性試驗儀
線纜檢測儀器設(shè)備
導(dǎo)體直流電阻測試儀
密度計，電子密度測試儀
材料檢測試驗機(jī)
氮氣柜
黑蒜發(fā)酵設(shè)備
黑蒜機(jī)，黑蒜箱
半導(dǎo)體充氮潔凈烘烤箱 高溫?zé)o氧烘箱工藝指南2025/3/20
半導(dǎo)體充氮潔凈烘烤箱高溫?zé)o氧烘箱工藝指南(2025版)本指南整合半導(dǎo)體行業(yè)核心工藝需求與設(shè)備技術(shù)規(guī)范，覆蓋芯片封裝、基板除潮等關(guān)鍵場景，確保防氧化與潔凈度達(dá)標(biāo)。一、核心工藝參數(shù)配置?氮氣控制要求?氧氣...
硅烷沉積系統(tǒng) 硅烷氣相沉積設(shè)備 真空硅烷涂膠機(jī)的發(fā)展趨勢2025/3/6
硅烷沉積系統(tǒng)硅烷氣相沉積設(shè)備真空硅烷涂膠機(jī)的發(fā)展趨勢硅烷沉積系統(tǒng)是一種用于硅烷(Siih?)作為前驅(qū)體的薄膜沉積設(shè)備，主要用于半導(dǎo)體、光伏(太陽能電池)、顯示面板、玻璃、陶瓷納米材料等領(lǐng)域的材料制備。...
曝光后烤膠臺/潔凈烘箱PEB烘烤的目的2024/12/17
光刻膠在曝光完成后，光刻膠需要經(jīng)過再一次烘烤，因為這次烘烤在曝光后，所以稱為“曝光后烘烤”，簡稱后烘或堅膜，英文為PostExposureBake(PEB)。曝光后烤膠臺/潔凈烘箱PEB烘烤的目的--...
HMDS預(yù)處理烘箱在光刻工藝中的重要作用2023/12/13
HMDS預(yù)處理烘箱在光刻工藝中的重要作用為:增強(qiáng)光刻膠和襯底表面的粘附力。光刻工藝中涂膠顯影流程包括HMDS（六甲基二硅氮烷，增粘劑）預(yù)處理、涂膠、前烘、曝光、后烘、顯影和堅膜。HMDS預(yù)處理作用:增...
HMDS烘箱涂布的HMDS是如何除去的？2023/11/9
HMDS烘箱是將晶圓表面暴露于蒸汽態(tài)的HMDS的方式氣相涂膠。氣相HMDS主要是用來增黏的作用。HMDS中文名六甲基二硅氮烷，是一種有機(jī)物，在水中的溶解性很低，但它可與多種有機(jī)溶劑混溶，比如醇、醚和多...
配有HMDS氣體檢測的HMDS烘箱有嗎2023/10/26
配有HMDS氣體檢測的HMDS烘箱HMDS烘箱用于光刻前基板的疏水性處理工藝。它是將HMDS（六甲基二硅胺烷）通過氣相沉積的方法均勻的涂布在基底表面，使基底表面接觸角增大，基底表面由親水性變?yōu)槭杷裕?..
高低溫沖擊試驗箱兩箱和三箱該怎么選？2023/10/26
三廂式高低溫沖擊試驗箱的設(shè)計是將低溫區(qū)、高溫區(qū)和試驗區(qū)三個部分集成在一起。這三個區(qū)域是獨立的，它們之間通過風(fēng)門進(jìn)行切換，不需要移動試驗產(chǎn)品。兩廂式高低溫沖擊試驗箱的工作原理是通過控制制冷系統(tǒng)和加熱系統(tǒng)...
雙腔式PI固化爐的優(yōu)點2023/10/26
雙腔式PI固化爐操作步驟雙腔式PI固化爐即具有兩個工作室的PI固化爐，可同時運行也可獨立操作。不僅具有單腔固化爐的所有功能，而且還能夠使用不同的生產(chǎn)工藝。排氣等管道合二為一，節(jié)約能源，更加環(huán)保；雙腔式...
氮氣烘箱在半導(dǎo)體制程如何選擇？2023/10/26
每個半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造都需要數(shù)百個工藝,整個制造過程分為八個步驟:晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-互連-測試-封裝。然而在這數(shù)百個工藝中有數(shù)道需要烘烤工藝，而且每個烘烤工藝不是相同，所以需要的烘烤...
無需液氮的-150度的超低溫試驗箱你知道嗎？2023/10/26
-150度的超低溫試驗箱采用先進(jìn)的復(fù)疊制冷技術(shù)，以多元混合工質(zhì)作為制冷劑。極大地簡化了制冷系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，降低了初投資成本，減小系統(tǒng)運行能耗，提高系統(tǒng)可靠性。制冷系統(tǒng)采用精餾的方法巧妙的完成了潤滑油與混合...
氮氣烘箱，百級潔凈烘箱在光刻軟烘烤工藝注意事項有哪些？2023/10/7
光刻加工中涂布后，所得的抗蝕劑膜將包含20-40%重量的溶劑。后涂覆烘烤工藝，也稱為軟烘烤或預(yù)烘烤，涉及在旋涂之后通過除去該過量溶劑來干燥光致抗蝕劑。減少溶劑含量的主要原因是使抗蝕劑膜穩(wěn)定。在室溫下，...
HMDS烘箱在第三代半導(dǎo)體材料中的工藝2023/10/7
HMDS烘箱在第三代半導(dǎo)體材料中的工藝第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（禁帶寬度Eg2.3eV）的半導(dǎo)體材料。其中又以SiC...
HMDS預(yù)處理系統(tǒng)在超薄鈮酸鋰材料的應(yīng)用2023/7/6
鈮酸鋰具有出色的光電特性，作為一種集成光子平臺，受到廣泛關(guān)注。在此基礎(chǔ)上，各種功能光子器件，如電光調(diào)制器和非線性波長轉(zhuǎn)換器，已經(jīng)展現(xiàn)出令人矚目的性能。與此同時，基于鈮酸鋰薄膜的激光器和放大器作為集成光...
充氮真空無氧烘箱的原理2023/7/4
1.充氮真空無氧烘箱的原理，其原理通過外接氮氣置換裝置，使箱體內(nèi)達(dá)到無氧真空狀態(tài)，提供無氧潔凈的固化環(huán)境。2.充氮真空烘箱熱量利用的比較充分，專為干燥熱敏性、易分解等物質(zhì)而設(shè)計，能夠向內(nèi)部充入惰性氣體...
碳化硅材料技術(shù)對器件可靠性的影響2023/6/25
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到碳化硅器件總...
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