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樂(lè)清市輝利電氣有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 斷路器，接觸器，繼電器，接近開(kāi)關(guān)，光電開(kāi)關(guān)，變頻器，變壓器，低壓電器 |
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樂(lè)清市輝利電氣有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 斷路器，接觸器，繼電器，接近開(kāi)關(guān)，光電開(kāi)關(guān)，變頻器，變壓器，低壓電器 |
| 產(chǎn)品圖片 | 產(chǎn)品名稱 | |||
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X3D2-N 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X3D2-N高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-06-03 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X3D1-N 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X3D1-N高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-06-01 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X10MC1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X10MC1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-06-01 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)TL-N5MT1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)TL-N5MT1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-06-01 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)EE-SX473 EE-SPY401 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)EE-SX473 EE-SPY401高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-31 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X7D1-N 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X7D1-N高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-31 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E3JK-R2M1 E3JK-R2M2 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E3JK-R2M1 E3JK-R2M2高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-30 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)EE-SPX303 EE-SPX403 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)EE-SPX303 EE-SPX403高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X5MF1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X5MF1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-28 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E3JK-TR12-C E3JK-5M1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E3JK-TR12-C E3JK-5M1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-27 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)EE-SX471 EE-SX472 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)EE-SX471 EE-SX472高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-27 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X14MD1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X14MD1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-26 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)TL-N10ME1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)TL-N10ME1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-25 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E3Z-LS61 E3S-2E4 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E3Z-LS61 E3S-2E4高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-25 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)EE-SX670A 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)EE-SX670A高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-17 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X8MD1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X8MD1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-17 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E3Z-D81 E3Z-D82 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E3Z-D81 E3Z-D82高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-10 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X5E1-Z 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X5E1-Z 高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-09 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)TL-N10MY1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)TL-N10MY1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-07 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)EE-SY671 EE-SY672 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)EE-SY671 EE-SY672高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2018-05-07 |
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