西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司
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詳細(xì)摘要： ?用于 Si , SiC , GaN , 材料的器件級(jí)和模塊級(jí)的IGBT , MOS-FET的正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試?FBSOA和對(duì)應(yīng)的IV曲線?ICE電流0~...
產(chǎn)品型號(hào)：FBSOA1000所在地：咸陽(yáng)市更新時(shí)間：2024-01-29 在線留言
詳細(xì)摘要： T3Ster熱阻測(cè)試儀 是Mentor Graphics公司研發(fā)制造的*的熱瞬態(tài)測(cè)試儀，用于測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性。T3Ster基于J...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：西安市更新時(shí)間：2023-10-25 在線留言
詳細(xì)摘要： 熱阻測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的熱特性...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_Zth所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 天光測(cè)控被動(dòng)循環(huán)試驗(yàn)臺(tái)測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_TC所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體管測(cè)試設(shè)備測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIO...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2002_5所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 天光測(cè)控MOSFET參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 19大類27分類 的大中小功率分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括Si/SiC/GaN材料的 IGBTs...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2001所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 晶體管曲線追蹤儀測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 19大類27分類 的大中小功率分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括Si/SiC/GaN材料的 IGBTs/DIODEs...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2000_5所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 分立元器件測(cè)試儀測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIO...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2000_5所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT...
產(chǎn)品型號(hào)：ST- SP 2000所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： IGBT參數(shù)測(cè)試儀器，用于測(cè)試MOSFETs, Diode , IGBT靜態(tài)直流參數(shù)測(cè)試主極輸出 3300V/1200A
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP3312所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 元器件綜合測(cè)試儀用于質(zhì)量部IQC來(lái)料檢驗(yàn)測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP2000（250A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： Mosfet場(chǎng)效應(yīng)管全參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試參數(shù)：Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / BJTs / SCRs / MOSFETs 靜態(tài)參數(shù)測(cè)...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP2000（100A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： IGBT靜態(tài)全參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)IGBT參數(shù)包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 晶閘管綜合測(cè)試儀測(cè)試范圍：1. 門極參數(shù)測(cè)試：VGT、IGT2. 維持電流測(cè)試：IH3. 擎住電流測(cè)試：IL4. 阻斷參數(shù)測(cè)試：VD、VR 、ID、IR5. 壓...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體測(cè)試儀 MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù)本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的I-V曲線，也可根據(jù)客戶的實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析，IQC來(lái)...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2000所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 測(cè)試范圍廣 19大類，27分類 功率器件測(cè)試儀應(yīng)用領(lǐng)域：院所、高校、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠商、電源、變頻器、逆變器、變流器、數(shù)控、電焊機(jī)、白色家電、新能源汽車、軌道機(jī)...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2001所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： K曲線測(cè)試儀可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的K曲線擴(kuò)展功能包...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_Kcurve所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)開(kāi)關(guān)短路反向恢復(fù)測(cè)試系統(tǒng)概述IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)關(guān)特性決定裝置的開(kāi)關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及...
產(chǎn)品型號(hào)：TRd 2015所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-DC2000_X 系列·半導(dǎo)體特性測(cè)試儀,可測(cè)試 19大類27分類 的大中小功率的半導(dǎo)體分立器件及模塊的靜態(tài)直流參數(shù)，高壓源2000V ，大電流...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC2000_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 天光測(cè)控ST-DC2000_X半導(dǎo)體管特性圖示儀，顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線；測(cè)量半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù)；能在不損壞器件的情況下，測(cè)量半導(dǎo)體器件的極限參數(shù)；晶體...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC2000_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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