1. 電子漿料制備
1.1 納米級分散技術
技術原理：
通過 轉子-定子高速剪切結構(轉速5000-15000 rpm)，產生 10? s?¹ 以上剪切速率，配合氧化鋯/碳化硅研磨介質，對金屬顆粒(銀、銅、鎳)進行物理破碎和分散。
動態(tài)分離技術：實時分離已分散的納米顆粒(<100 nm)與未破碎團聚體，避免過度研磨導致的能量浪費。
應用案例：
光伏銀漿：某TOPCon電池廠商使用擂潰機將銀顆粒粒徑從微米級降至80 nm，柵線電阻降低18%，電池轉換效率提升0.5%。
MLCC電極漿料：日本某企業(yè)實現鈀-銀合金漿料分散均勻度(D90/D10)≤1.5，介質層厚度減薄至1μm，電容值提升30%。
1.2 低缺陷率控制
工藝優(yōu)化：
真空脫泡系統(tǒng)：在漿料混合過程中集成真空環(huán)境(-0.1 MPa)，消除氣泡(殘留氣泡直徑<10 μm)。
流變性能調控：通過調整剪切時間(5-30分鐘)，使?jié){料粘度穩(wěn)定在2000-5000 mPa·s(25℃)，適配高精度絲網印刷(線寬≤20 μm)。
1.3 多組分均質混合
配方兼容性：
同步處理 金屬粉末(60-70wt%)、 環(huán)氧樹脂(15-20wt%) 和 溶劑(丁基卡必醇)，通過 多級分散腔體設計，避免密度差異導致的相分離。
案例：某企業(yè)制備低溫固化銀漿(固化溫度150℃)，粘結劑(丙烯酸樹脂)與銀粉混合均勻度達99.5%，附著力提升至5B(ASTM D3359標準)。
2. 導電油墨生產
2.1 導電結構保護
石墨烯/銀復合油墨：
采用 層流剪切模式(剪切速率≤5000 s?¹)，避免破壞石墨烯片層結構(缺陷密度<0.1%)，電阻率低至 3×10?? Ω·cm(傳統(tǒng)球磨工藝為1×10?? Ω·cm)。
應用：某柔性電路廠商實現油墨印刷線寬10 μm，彎折10萬次后電阻變化率<5%。
2.2 粘度精準調控
溫控-剪切協(xié)同：
溫度控制精度±1℃，通過PID算法實時調節(jié)剪切速率(2000-8000 s?¹)，使油墨粘度穩(wěn)定在10-100 cP(噴墨打印)或500-2000 cP(凹版印刷)。
案例：某RFID標簽企業(yè)優(yōu)化油墨粘度至50 cP，印刷速度提升至50 m/min，圖案邊緣清晰度達±2 μm。
2.3 長期穩(wěn)定性提升
抗沉降設計：
添加 納米纖維素穩(wěn)定劑(0.1-0.5wt%)，配合擂潰機分散，使碳納米管懸浮穩(wěn)定性從7天延長至6個月(沉降率<1%)。
3. 二次電池材料加工
3.1 電極均質化
三維分散網絡構建：
對硅碳復合材料(SiOx/C)與CNT導電劑進行 梯度剪切分散，使CNT均勻包覆硅顆粒表面，電極內阻從25 Ω·cm²降至8 Ω·cm²，庫倫效率提升至92%。
3.2 固相反應優(yōu)化
前驅體預處理：
在NCM811正極材料燒結前，通過擂潰機將LiOH·H2O與過渡金屬氧化物(Ni0.8Co0.1Mn0.1(OH)2)混合至D50=0.8 μm，燒結后晶粒尺寸分布(D90/D10)從2.0降至1.3，電池循環(huán)1000次容量保持率>85%。
3.3 固態(tài)電池界面優(yōu)化
硫化物電解質分散：
對Li6PS5Cl電解質與PVDF-HFP粘結劑進行 低溫(-10℃)剪切分散，避免硫化物分解，界面阻抗從2000 Ω·cm²降至500 Ω·cm²，離子電導率提升至1.2 mS/cm(25℃)。
4. 核心技術參數與驗證數據
| 指標 | 參數范圍 | 測試標準 |
| 最大剪切速率 | 15,000 s?¹ | ISO 2228:2016 |
| 溫控精度 | ±1℃（-20℃至200℃） | IEC 60751 |
| 粒徑控制能力（D90） | 50 nm-5 μm（可調） | ISO 13320（激光衍射法） |
| 批次處理量 | 0.1 L（實驗室）-1000 L（產線） | 定制化驗證 |
5. 行業(yè)價值量化
成本降低：替代化學包覆工藝，減少表面改性劑用量(節(jié)約成本約20%)。
效率提升：MLCC漿料生產周期從48小時縮短至8小時，產能提升6倍。
性能突破：全固態(tài)電池能量密度突破500 Wh/kg(實驗室數據)，較傳統(tǒng)工藝提升40%。
通過以上細化分析可見，石川擂潰機以 物理分散技術為核心，通過 工藝-設備-材料協(xié)同創(chuàng)新，在電池電子行業(yè)實現了從納米級材料加工到量產落地的全鏈條賦能。
