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日本napson定義的電阻測量方法及原理

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日本napson電阻測量原理

電阻測量的三個(gè)基本知識(shí)

  • 電阻測量的定義
  • 觸點(diǎn)類型:4種探頭法測量
  • 非接觸型:渦流法測量

 

電阻測量的定義

通常,電阻(電阻)用于評估物質(zhì)或材料的電導(dǎo)率(導(dǎo)電性)。我認(rèn)為以下Ω(Ohm)是電阻的評估標(biāo)準(zhǔn)(許多人在“歐姆定律”中都記得它)。

電阻_(電阻)=Ω[讀數(shù):歐姆]

⇒表示電流難易度的單位

R = V / I * V =電壓,I =電流

由數(shù)字萬用表(絕緣電阻表)測量的絕緣電阻也通常以Ω單位表示。

電阻單位還根據(jù)物質(zhì)或材料的形狀而適當(dāng)?shù)厥褂茫⑶腋鶕?jù)測量目標(biāo)而主要使用,因?yàn)榇嬖卺槍γ總€(gè)行業(yè)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(例如,JIS)的電阻單位。關(guān)于電阻的表示法是不同的。

除了電阻[Ω],我們的電阻測量系統(tǒng)還支持以下兩種類型的電阻測量單位:電阻[Ωcm]和薄層電阻[Ω/□]。

電阻=Ωcm[讀數(shù):歐姆厘米]

*也稱為比電阻。

⇒物質(zhì)的“體積電阻值”

它主要用于表示較厚物體的電阻,例如硅片,大塊以及導(dǎo)電橡膠和塑料。

電阻:R的值由以下等式表示,其中ρ是電阻,L是導(dǎo)體的長度,A是導(dǎo)體的截面積。

R =ρ×[L / A]

因此,電阻值ρ由下式表示。

ρ= V / I×[A / L]

*當(dāng)單位為Ωcm時(shí),該值為1 cm x 1 cm x 1 cm的體積。根據(jù)測量目標(biāo)的不同,它可能以Ωm(歐姆表)表示。

薄層電阻=Ω/□[讀數(shù):歐姆/平方]

*也稱為比電阻。

⇒物質(zhì)的“表面電阻值”

它主要用于表示片狀材料(例如薄膜和膜狀材料)的電阻。

觸點(diǎn)類型:4種探頭法測量

在這里,我們將介紹接觸式電阻測量原理的概述(4探針法)(該原理的詳細(xì)說明在材料中)。

(*對于我們的產(chǎn)品,還有一個(gè)系統(tǒng)會(huì)根據(jù)電阻范圍使用不同的測量方法。)

 

四探針法主要用于接觸式情況,可以測量1E-3(1m)到1E + 9(1G)Ω/□電阻范圍。

這種測量方法是在廣泛領(lǐng)域中測量電阻的基礎(chǔ)。

●在四探針法中,將按照以下步驟進(jìn)行測量。

(1)將四個(gè)針狀電極直線地放在測量樣品上。

(2)兩個(gè)外部探頭之間流過恒定電流。

(3)通過測量兩個(gè)內(nèi)部探針之間的電位差來計(jì)算電阻。

非接觸型:渦流法測量

在這里,我們將介紹非接觸式(渦流法)電阻測量原理的概況(該原理的詳細(xì)說明在材料中)。

(*在我們的產(chǎn)品中,根據(jù)電阻范圍,還有另一種非接觸式電阻測量方法系統(tǒng)。請單擊此處。請參考。此外,關(guān)于非接觸式測量原理,除了渦流方法外,但很抱歉給您帶來麻煩請聯(lián)xi我們

渦流法主要用于非接觸式,可測量1E-3(1m)至1E + 4(10k)Ω/□電阻范圍。

它可用于半導(dǎo)體,化合物半導(dǎo)體,液晶和新型碳基材料等廣泛領(lǐng)域的測量。

渦電流測量系統(tǒng)使用電磁感應(yīng)產(chǎn)生的渦電流來測量電阻。

非接觸式測量探頭單元的探頭芯(磁性材料)在兩側(cè)(上下)以一定的間隙排列。

●在渦流法中,按照以下步驟進(jìn)行測量。

(1)當(dāng)在探針芯之間施加高頻以產(chǎn)生磁通量并且插入樣本時(shí),樣本中產(chǎn)生渦流。

(2)此時(shí),(1)渦電流流過樣品→(2)樣品中消耗了電流,發(fā)生了功率損耗。

 →③電路中的電流成比例降低。檢測該減小的電流值。

(3)由于檢測到的電流值與樣品的電阻成反比關(guān)系,請使用此值。

 座椅電阻或電阻是從電流值和座椅電阻的校準(zhǔn)曲線(計(jì)算公式)得出的。

 ?。?計(jì)算電阻時(shí)需要樣品厚度信息)

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