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208C高真空鍍碳儀

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更新時間:2021-07-29 14:43:52瀏覽次數(shù):399次

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產(chǎn)品簡介

208C高真空鍍碳儀英國Cressington Cressington 208C高真空鍍碳儀為SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探針分析提供高質(zhì)量的鍍膜技術(shù)

詳細介紹

208C高真空鍍碳儀
英國Cressington
  • Cressington 208C高真空鍍碳儀為SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探針分析提供高質(zhì)量的鍍膜技術(shù)。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊,所占空間小。樣品室直徑150mm,可快速抽真空進行鍍膜處理,處理周期約10分鐘。高真空條件下使用超純的碳棒為嚴格的高分辨掃描電鏡、透射電鏡、EBSD及探針分析提供高質(zhì)量的鍍膜處理。.組件設計方式可方便地對不同優(yōu)化條件下的各種應用進行切換
主要特性
  • 電壓控制的碳棒具有多次蒸發(fā)能力
  • 反饋控制可以得到準確一致的鍍膜厚度
  • 可選擇操作方法優(yōu)化鍍膜過程
  • 繁忙條件下可進行自動蒸發(fā)控制
  • 低成本高分辨膜厚監(jiān)測儀保證可重復的鍍膜效果
  • 80L/s的分子渦輪泵可快速地使直徑150mm的樣品室達到鍍膜要求的真空
  • 可配備無油渦旋式真空泵選件
  1. 可通過以下方式節(jié)約成本:無須水冷卻系統(tǒng)
  2. 無須加熱或冷卻
  3. 無須液氮
  4. 制樣周期短
  5. 節(jié)省空間
碳蒸發(fā)控制
  • 208C對碳棒-Bradley型碳蒸發(fā)源使用*的*集成的反饋控制設計。
  • 電流和電壓通過磁控頭的傳感線監(jiān)控,蒸發(fā)源作為反饋回路中的一部分被控制。該蒸發(fā)裝置使常規(guī)的碳棒具有優(yōu)良的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性。功率消耗低,碳棒具有異常的重新蒸鍍特性。
  • 蒸發(fā)源使用兩步超純碳棒。
  • 蒸發(fā)源可以手動“脈沖”或“連續(xù)”的方式進行鍍膜。“脈沖”方式如果和MTM-10高分辨膜厚監(jiān)測儀一起使用,可以準確得到所需要的膜厚。自動方式下的操作非常方便,操作者只要設定電壓和時間,可以得到一致的鍍膜效果。
208C 樣品室
  • 樣品室的組件設計方式可適應多種附件使用。
  • 通過簡單調(diào)節(jié)工作距離,可方便地調(diào)節(jié)蒸發(fā)速率。
  • *的標準化高/低真空壓力調(diào)節(jié)通過精密針閥完成。
  • 高真空用于質(zhì)量地鍍膜,如用于TEM制樣。
  • 低真空用于TEM柵網(wǎng)的輝光放電清潔以及掃描電鏡觀察中形貌復雜樣品的鍍膜。
  • 對于SEM、EDS/WDS 和探針分析,旋轉(zhuǎn)-行星轉(zhuǎn)動-傾斜樣品臺可對同時多個樣品進行一致的鍍膜處理。
  • 旋轉(zhuǎn)-傾斜臺特別為TEM樣品處理設計,而且可以放置25 x 75mm的玻片。
技術(shù)參數(shù)
樣品室大小
直徑150mm 、高度 165mm - 250mm可調(diào)
蒸發(fā)源
Bradley型 (6.15mm直徑 rods) ,高強度不銹鋼結(jié)構(gòu)
蒸發(fā)控制
基于微處理器的反饋回路控制,能夠進行遠程電流/電壓感應,基于真空水平變量的安全互鎖功能,電流180A,提供過流保護
樣品臺
可安裝12個掃描電鏡樣品座
高度在60mm范圍內(nèi)可調(diào)
旋轉(zhuǎn)-行星轉(zhuǎn)動-傾斜樣品臺(選件)
模擬計量
真空, 雙范圍 Atm - 0.001mb ;1 x 10-3mb- 5 x 10-6 mb
電流, 0 - 200A
控制方法
自動蒸發(fā)控制,使用程序設定的電壓和時間,自動放氣
以脈沖或連續(xù)方式進行*手動控制
數(shù)字定時器(0-30s)
數(shù)字電壓設置(0.1 to 5.5V)
真空系統(tǒng)
結(jié)構(gòu)
分子渦輪泵/旋片泵組合,無油渦旋式真空泵(選件)
抽真空速度
80 L/s.
抽真空時間
1.5 min至 1 x 10-4mb
極限真空
5 x 10-6mb
桌上系統(tǒng)
旋片泵可置于抗震臺上,全金屬真空耦合系統(tǒng)
系統(tǒng)要求
電源
100-120 或 200-240 VAC, 50/60Hz
功率
1200 VA max.

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關(guān)鍵詞:渦輪泵 真空泵
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