上海巨納科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on Si表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%制備方法：1）采用...
產(chǎn)品型號(hào)：1*1cm單層所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%制備方法：1）采...
產(chǎn)品型號(hào)：1*1'' 單層所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%制備方法...
產(chǎn)品型號(hào)：1*1cm單層所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%制備方...
產(chǎn)品型號(hào)：1*1'' 單層所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
產(chǎn)品型號(hào)：5*5cm所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
產(chǎn)品型號(hào)：10*10cm所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm襯底：紫銅層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
產(chǎn)品型號(hào)：1*1cm所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
產(chǎn)品型號(hào)：1*1cm所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
產(chǎn)品型號(hào)：1*1cm所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過化學(xué)氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大，導(dǎo)...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過化學(xué)氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大，導(dǎo)電...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：材料簡介： 三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過化學(xué)氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：The 3D Graphene Foam is deposited comformably onto Nickel foam foils by che...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：CVD Graphene sheets have been deposited onto 50 micron thick Cu foils using...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：高定向熱解石墨 HOPG-ZYA-2mm質(zhì)量晶體尺寸：橫向~12mm，厚度2mm電學(xué)性能：金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b =0.246, c...
產(chǎn)品型號(hào)：ZYA-HQ所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：高定向熱解石墨 HOPG-ZYA-1mm質(zhì)量晶體尺寸：橫向~12mm，厚度1mm電學(xué)性能：金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b =0.246, c...
產(chǎn)品型號(hào)：ZYA-SQ1所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：高定向熱解石墨 HOPG-ZYB-2mm標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量晶體尺寸：橫向~12mm，厚度2mm電學(xué)性能：金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b =0.246,...
產(chǎn)品型號(hào)：HQ-SQ2所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-06 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：高定向熱解石墨 HOPG-ZYH-1mm晶體尺寸：橫向~10mm，厚度1mm旋 轉(zhuǎn) 角：3.5#176; +/- 0.5#176; 包裝規(guī)格：5片裝
產(chǎn)品型號(hào)：HOPG-C1所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-06 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：高定向熱解石墨 HOPG-ZYH-2mm晶體尺寸：橫向~10mm，厚度2mm旋 轉(zhuǎn) 角：3.5#176; +/- 0.5#176; 包裝規(guī)格：5片裝
產(chǎn)品型號(hào)：HOPG-C2所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-06 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：Highly oriented pyrolytic graphite is a zerogap semiconductor with metallic...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-06 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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