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Scanning Electron Microscope(SEM)掃描電子顯微鏡 (SEM)掃描電子顯微鏡

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的背散射電子探測(cè)始終可保證良好的材料襯度，即使是以低電壓和小束流并以任何傾斜角度對(duì)電子束敏感樣品進(jìn)行TV速率成像是也不例外

詳細(xì)介紹

的背散射電子探測(cè)始終可保證良好的材料襯度，即使是以低電壓和小束流并以任何傾斜角度對(duì)電子束敏感樣品進(jìn)行 TV 速率成像是也不例外；

特點(diǎn):
● 全面實(shí)現(xiàn)納米或亞納米分辨性能，從納米顆粒、粉末、催化劑和納米器件到塊狀磁性樣品等材料；
● 的背散射電子探測(cè)始終可保證良好的材料襯度，即使是以低電壓和小束流并以任何傾斜角度對(duì)電子束敏感樣品進(jìn)行 TV 速率成像是也不例外；
● 無(wú)比靈活的探測(cè)器可將各個(gè)探測(cè)器分割提供的信息相結(jié)合，讓用戶能夠獲得至關(guān)重要的對(duì)比或信號(hào)強(qiáng)度；
● 各種各樣的荷電緩解策略，包括樣品倉(cāng)壓力為 500 Pa 的低真空模式，可實(shí)現(xiàn)任何樣品的成像；
● 的分析平臺(tái)提供高電子束電流，而且束斑很小。倉(cāng)室支持三個(gè) EDS 探測(cè)器、共面的 EDS和 EBSD 以及針對(duì)分析而優(yōu)化的低真空系統(tǒng)；
● 樣品處理和導(dǎo)航極容易，具有多用途樣品支架和 Nav-Cam+

主要技術(shù)性能指標(biāo)：

● 分辨率：高真空：0.7~1.8nm; 低真空: 1.0~1.8nm；
● 加速電壓: 100V, 500V, 1KV, 3KV, 15KV, 20KV；
● 電子束電流: 1pA ~ 400nA，冷場(chǎng)發(fā)射式；
● 著陸能量范圍: 20eV ~ 30KeV；
● 水平視場(chǎng)寬: 10mm工作距離下為3.0mm（對(duì)應(yīng)于最小放大倍率X29）；
● 倉(cāng)室：內(nèi)寬340mm，分析工作距離10mm；EDS出射角35°；
● 載物臺(tái)X-Y范圍:110mm * 110mm；
● 重復(fù)性：< 3.0μm (0°傾斜時(shí))；
● 電動(dòng)Z軸：65mm；
● 旋轉(zhuǎn)：n * 360°；
● 樣品高度和重量：距共心點(diǎn)85mm，任意載物臺(tái)位置均為500g，當(dāng)0°傾斜時(shí)為2Kg；
● 樣品尺寸：可沿X-Y軸旋轉(zhuǎn)時(shí)直徑為122mm；
● 抽氣時(shí)間: ≤ 3.5 分鐘；
● 最多可安裝四個(gè)探測(cè)器，包含EDS探測(cè)器（用于化學(xué)元素分析）；
● Windows 7 / Windows 10操作系統(tǒng)；
● 圖像導(dǎo)航和圖像分析軟件。

主要應(yīng)用：

● 芯片等樣品高分辨率觀測(cè)；
● 失效點(diǎn)抓拍記錄；
● 芯片內(nèi)部電路拍照。

關(guān)鍵詞：催化劑芯片

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