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北京中科復華科技有限公司
PECVD-601/801/1201
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更新時間:2024-04-09 10:08:22瀏覽次數:280次
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是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法
應用方向:科研與教學
產品優(yōu)勢: 高性能薄膜制備
產品配置:
★樣片數量及尺寸:1片Ф6英寸
★沉積材料:包括并不限于硅基(Si)薄膜、碳基(C)薄膜、硅鍺合金(SiGe)、鎢硅合金(WSi2)、W、SiC。
★沉積腔體:高真空系統(tǒng)
★沉積不均勻性:±3%-±6%
★沉積速率:20-600nm/min(視具體材料與工藝)
★工作臺:可升降,高度可調
★加熱:常規(guī)加熱,可選高溫加熱
★電源配置:射頻;直流偏壓
★氣路數量與種類:標配4路氣路 或 用戶選配
★光學性能監(jiān)測:可選配橢偏儀在線監(jiān)測系統(tǒng)
★漸變折射率薄膜制備:可選配快速流量變化與控制系統(tǒng)
★操作模式:全自動+半自動控制
類似產品:帶預真空室(PECVD-8100)
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