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4次特點(diǎn)：
制定zui jia的金屬堆棧完整性
“改進(jìn)"寬窗口處理能力
強(qiáng)化蝕刻殘余物去除
清洗的掩膜減少化學(xué)殘留
超大規(guī)模集成電路（ULSI）級(jí)規(guī)格*進(jìn)封裝清洗
工作溫度下蒸發(fā)速率低
應(yīng)用：
應(yīng)用EKC270™蝕刻后殘留物器廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體行業(yè)，以滿(mǎn)足關(guān)鍵的清潔需求
從高深寬比MEMS器件100μm+ 到*進(jìn)DRAM 的70nm集成的各個(gè)階段
下面列出了常見(jiàn)的應(yīng)用程序：
接觸清潔
金屬線(xiàn)清潔
TSV深硅穿孔清潔
鎢埋位線(xiàn)清洗
聚酰亞胺清洗
Pad清潔
MEMS清洗
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